晶体管
晶体管（电子元件）晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、swi查看详情>tch）不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。2016年，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有的最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，完成了计算技术界的一大突破。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管（二端子）、三极管、场效应管、晶闸管（后三者均为三端子）等。晶体管有时多指晶体三极管。 三端子晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET，单极性）。晶体管有三个极（端子）；双极性晶体管的三个极（端子），分别是由N型、P型半导体组成的发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极（端子），分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三个电极，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器）。
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瞬态抑制二极管如何保护汽车电子瞬间浪涌？
随着电子信息技术的迅猛发展,半导体器件日益趋向小型化、集成化、智能化,尤其是在汽车电子控制系统应用中,非常容易受到瞬态浪涌过电压的影响。从事汽车电子行业或EMC的电子工程师都知道,ISO 10605 和ISO 7637-2是汽车电子里面电气抗扰度遇到最重要的标准体系
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一文了解陶瓷气体放电管GDT如何选型？
电路保护方案设计过程中,就要开始被动保护元器件的选择,电路保护元器件可分为过压保护器件和过流保护器件。防浪涌过电压保护器件之一陶瓷气体放电管GDT,其内部是由一个或一个以上放电间隙内充有惰性气体构成的密闭器件
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三极管的工作原理和放大功能实现
三极管，即半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件
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整流二极管M7可以用什么来代替？
整流二极管M7可以用什么来代替?请问贴片二极管M7的参数及能用什么管子代换?M7贴片二极管与什么型号的二极管通用?贴片整流二极管M7和A7有什么区别?整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造,M7和A7都是硅整流二极管,单向导电性、高击穿电压、低反向漏电流、高温性能良好
M7二极管 2021-05-25 -
一文了解TVS二极管怎么选？
瞬态抑制TVS二极管,作为常用的电路保护元器件,广泛应用于各行各业。在汽车电子、消费电子、电源驱动、工业配电、再生能源、电信、家电、计量仪器、医疗电子、工业控制、照明、安保系统、建筑控制及自动化、音频/视频设备、计算机及其周边设备等多个领域都能找到TVS二极管的身影
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反激电源MOS管两次振铃现象产生原因？
本周在技术交流群中有群友抛出这么一个问题:反激电源MOS D-S之间电压波形产生的原因?这是一个典型的问题,本质原因就是功率级寄生电容、电感引起的谐振,然而几天后我发现,当时我并没有充分理解问题,这位朋友所要了解的问题其实应细化为:为什么会有两次谐振
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motorola g50评测：高通挤爆了牙膏管！
一、前言：高通挤爆牙膏！入门千元机喜提两大提升作为高通骁龙系列处理器中入门级的代表，骁龙4系此前的处境一直十分尴尬。性能不上不下，并且被广泛用于千元左右的入门机型中，这使得人们对它的印象一直都不算太好，而毫无压力的高通，也丝毫没有改变现状的想法
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一文带你了解TVS管常用型号
关于瞬态抑制二极管,您知道多少?在这个网络信息技术如此发达的时代里,只要有心,您想知道的都能了解到。瞬态抑制二极管,简称TVS二极管,是在稳压管工艺上发展起来的一种新型高效能的限压型保护器件。瞬态电压抑制二极管的核心单元是芯片
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一文了解TVS二极管分类有哪些
所谓TVS瞬态抑制二极管是干什么的呢?TVS二极管,是一种在稳压管工艺基础上发展起来的新型高效电路保护元器件,凭借自身独特的亮点(PS级响应速度、高瞬态功率、箝位电压易控制、击穿电压偏差小、低漏电流、高可靠性、小体积、低电容等特点)在电路保护元器件领域独树一帜,脱颖而出
TVS二极管 2021-04-28 -
一文详解瞬态抑制二极管的典型应用
TVS瞬态电压抑制二极管,是一种采用半导体工艺制成的单个PN 结或多个PN结集成的高效型电路保护器件。TVS内部芯片为半导体硅材料,具有很高的可靠性;响应速度快;低动态内阻;低钳位电压;电压精度高,击穿电压一般为±5%的偏差;封装多样化
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瞬变抑制TVS二极管能替代稳压二极管吗？
瞬变电压抑制二极管能替代稳压二极管吗?瞬变电压抑制二极管好还是稳压二极管好?同样都具有稳压作用,瞬变电压抑制二极管和稳压二极管有什么不同呢?瞬变电压抑制二极管与稳压二极管的共同点tvs管(瞬态电压抑制二极管)
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内含2．6万亿个晶体管巨无霸型芯片，性能有多强大？
近日，半导体企业Cerebras Systems发布了WSE－2芯片，这款芯片采用台积电的7nm工艺制程，内置2．6万亿个晶体管，芯片面积巨大。
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全球最大芯片再升级：2.6万亿个晶体管
2019年8月，一颗超大芯片引起了半导体界的轰动。AI初创公司Cerebras Systems推出了史上最大的的单晶圆芯片——Cerebras Wafer Scale Engine，英伟达最大的GPU都不及它的“边角”
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电子管功放的选型与品牌排名
电子管功放，电子管音频功率放大器，是一种电器器材，主要用于传导电流。是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件．电子管放大器是在高电压、低电流状态下工作。怎样选择电子管功放1、市场上的电子管功放机琳琅满目，有大众化型和名牌产品
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安森美半导体发布世界首款车规硅光电倍增管（SiPM）阵列产品，用于激光雷达应用
2021年3月2日 —推动高能效创新的安森美半导体 （ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），今天发布新的RDM系列硅光电倍增管 （SiPM） 阵列，将激光雷达 （LiDAR） 传感器能力扩展到其广泛的智能感知方案阵容
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三星Exynos 1080评测：踩爆次旗舰牙膏管之作
一、有的失声、有的近乎哑火、有的到处开花、有的踩爆牙膏管如果回顾一下过去了的2020年,一句话总结彼时的手机次旗舰芯战况,那便是——失声的麒麟、近乎哑火的骁龙、到处开花的天玑、踩爆牙膏管的Exynos。高通是最早改变布局
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名词解释：什么是IGBT晶体管？
先说个冷笑话，IGBT，不是LGBT，不是性少数群体的意思……好了，回到正题。IGBT晶体管，英文全称是「Insulated Gate Bipolar Transistor」，中文名叫「绝缘栅双极晶体管」
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肖特基二极管的结构与缺点
什么是肖特基二极管？肖特基二极管，英文是Schottky diode，是这样一种二极管：它导通电压降非常低，且允许高速切换。作为一种电子元件，它利用肖特基势垒特性而产生。之所以叫「肖特基」二极管，是为了纪念造车物理学家肖特基（Walter H． Schottky）
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反向二极管如何保护电源？
通常，电源的输出端口会采用一个反向二极管来保护电源，避免被反向电压损坏。绝大部分直流电源都会在输出端口添加一个乃至多个电解电容。这些电容的作用在于滤除输出纹波和噪声，同时，提供额外的电能用于减小在负载电流动态变化时电压突升或突降的幅度
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MOS管和IGBT管有什么区别?
MOS管和IGBT管都可以作为开关元件使用，它们在外形、特性参数上也比较相似，那它们到底有什么区别呢？什么是MOS管？MOS管是MOSFET管的简称，是金属-氧化物半导体场效应晶体管，可以简化称为「场效应管」，MOS管主要分两种类型：结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）
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Nexperia首次推出用于48V汽车和其他更高电压总线电路的80V RET（配电阻晶体管）系列
2021年1月12日，半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配电阻晶体管）系列。这些新的RET或“数字晶体管”提供了足够的余量，可用于48 V汽车板网（
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金属氧化物半导体场效晶体管的结构
图片源自维基百科上图是一个NMOS的截面图。MOSFET的核心是位于中央的MOS电容，左右两侧是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须同为NMOS或是同为PMOS。图中NMOS的源极与漏极上标示的「N＋
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嵌入式开发常用模块：数码管的原理及应用
数码管，也称作辉光管，是一种可以显示数字和其他信息的电子设备。玻璃管中包括一个金属丝网制成的阳极和多个阴极。大部分数码管阴极的形状为数字。管中充以低压气体，通常大部分为氖加上一些汞和／或氩。给某一个阴极充电，数码管就会发出颜色光，视乎管内的气体而定，一般都是橙色或绿色
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历史上的今天：1947年，晶体管问世
在73年前的今天，1947年12月23日（农历1947年11月12日），晶体管问世。1947年12月23日，美国科学家巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士，在导体电路中进行用半导体晶体放大声音信号的实验时，发明．了科技史上具有划时代意义的成果一一晶体管
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国内专家搞定GAA晶体管：3nm、5nm关键技术
来自复旦大学微电子学院的消息，该校周鹏团队针对具有重大需求的3－5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0．6 ／1．2纳米的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径
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什么是MOS管？MOS管有什么优势？
MOS管是金属 （metal） — 氧化物 （oxide） — 半导体 （semiconductor） 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘体 （insulator） — 半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区
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CPU的产生及内部晶体管的工作原理
CPU即中央处理器（Central Processing Unit），它作为计算机系统的运算和控制核心，是信息处理、程序运行的最终执行单元。CPU 自产生以来，在逻辑结构、运行效率以及功能外延上取得了巨大发展
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全球首个5nm制程5G手机华为Mate40发布：集成150亿+晶体管
Mate40系列手机搭载麒麟9000 5G SoC芯片,领先的5nm制程工艺,集成150亿+晶体管,性能跨越式升级,功耗大幅降低。众所期待的华为Mate 40系列于今日晚8点正式发布,华为消费者业务CEO余承东此前曾表示,“华为领先全球的麒麟系列芯片在9月15日之后无法制造,将成为绝唱
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双极性结型晶体管(BJT)电流源研究
本实验的目的是研究双极性结型晶体管(BJT)电流源或电流镜。电流源的重要特性包括:在宽顺从电压范围保持高输出阻抗、能抑制外部变化(如电源或温度)的影响。背景知识电流镜是一种电路模块,通过复制输出端子的电流来产生完全一样的流入/流出输入端子电流
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Vishay推出汽车级PIN光电二极管，高度低至0．7 mm，提高信噪比
2020年9月28日，Vishay Intertechnology， Inc．（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款表面贴装汽车级硅 PIN 光电二极管，外形尺寸为 0805，高度仅为 0．7 mm — 比前一代器件低 0．15 mm
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臭名昭著的MOS管米勒效应
如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T＝20ms进行开启和截止状态的切换。
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BMS上的稳压二极管应用场合
最近遇到了稳压二极管漏电流偏大的案例，问题还在持续分析中，借助这个由头，总结下稳压二极管方面的基础知识。（图片来源于VISHAY官网）稳压二极管的工作原理定义：稳压二极管，英文名称Zener diod
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集成自举二极管和快速过流保护的600V三相栅极驱动器加速三相电机应用
三相驱动器（如三相600V单芯片栅极驱动器STDRIVE601）的易用性、可用性和经济性是这一发展的主要原因所在。STDRIVE601具有稳健性、简单性和节省成本的特点，同时可确保系统受保护并提供安全功能。
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华为麒麟1020：5nm成就每平方毫米1.713亿个晶体管
高通骁龙865发布了，性能轻取安卓阵营桂冠，而善于打时间差的华为下一代麒麟旗舰也开始频繁曝料，不出意外将在明年下半年的Mate 40系列上首发。麒麟990 5G处理器采用了台积电7nm EUV工艺，集
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东芝推出低电容TVS二极管， 满足Thunderbolt 3和其他高速信号线的静电保护要求
2019年10月17日，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，两款低电容TVS二极管（静电保护二极管）“DF2B5M4ASL”和“DF2B6M4ASL”开始供货。它们支持Thunderbolt？ 3、HDMI？ 2．1和USB 3．1等高速通信标准
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二极管和三极管的命名原则
一、 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目
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