IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载查看详情>流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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详解IGBT晶圆在伺服马达领域的应用
伺服马达是一种能够精确控制位置、速度和加速度的自动控制系统，其工作原理主要包括以下几个方面： 脉冲定位：伺服马达通过接收脉冲信号来实现定位。每接收到一个脉冲，马达就会旋转一个对应的角度，从而实现位移
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深度应用在中等功率驱动器领域的IGBT晶圆
中等功率驱动器的应用场景包括各种工业生产领域中对电机运动精度和效率要求较高的场合，如机床加工、自动化生产线、物流运输等。此外，在冶金、石化、航空、船舶等行业中也广泛应用了中等功率驱动器，其优越的性能和稳定可靠的使用效果得到了广泛认可
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成功案例｜格创东智EAP系统助推头部IGBT公司加速CIM国产化
某头部IGBT公司，从事车规级IGBT功率模块的生产、销售、本土化的应用服务与开发支持。其工厂全方位引进先进设备、生产工艺与质量保证体系，建立了车规级全自动IGBT模块封装测试产线和高度集成的生产制造系统
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深度分析IGBT晶圆在1200V光伏逆变器领域中的应用
1200V光伏逆变器的工作原理是通过将光伏电池板产生的可变直流电压转换为市电频率的交流电（AC），以供电网使用或反馈回商用输电系统。逆变器的主要功能是将光伏阵列产生的直流电（DC）逆变为三相正弦交流电（AC），输出符合电网要求的电能
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ICPL-316J：2.5A输出电流-IGBT栅极驱动光耦
ICPL-316J是一款易于使用、智能化的栅极驱动器，它使IGBT VCE故障保护变得紧凑、经济且易于实现；用户可配置的输入、集成的VCE检测、欠压锁定（UVLO）、软IGBT关断和隔离故障反馈等特性为设计提供了最大的灵活性和电路保护
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IGBT/MOSFET-栅极驱动光电耦合器ICPL-343
现代电力电子系统中，栅极驱动光电耦合器扮演着至关重要的角色；其先进的技术能够有效隔离控制信号和功率信号，提升系统的稳定性和安全性，同时提高系统的效率和性能。其中，由工采网代理的ICPL-343是一款出
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ICPL-155E 1.0安培输出电流IGBT栅极驱动光耦
一、产品描述： 由工采网代理的ICPL-155E是一款高性能光电耦合器，由GaA IAs红外发光二极管和集成的高增益、高速光电探测器组成；采用SOP5封装，具有紧凑的外观和便于安装的特点；适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路
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应用在隔离的IGBT模块中的光电耦合器
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点
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安森美推出第七代IGBT智能功率模块， 助力降低供暖和制冷能耗
2024年2月27日--智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON
安森美 2024-02-27 -
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IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA_(T)-R3G系列
一、产品介绍 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大
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全新4.5 kV XHP™3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化
【2023年12月25日，德国慕尼黑讯】许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / O
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IGBT持续走强，头部公司纷纷扩产
从缺芯潮缓解转向下游市场需求疲软，在半导体赛道的周期性寒冬之下，各家企业相继采取措施，减产、缩减投资等逐渐成为行业厂商度过危机的主要方式之一。 不过在半导体诸多赛道中，有这样一个细分领域，它未受市场景气度的影响，持续繁荣向上
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应用在大功率驱动器中的IGBT晶圆
功率器件驱动器是电力电子系统的低压信号控制电路和高压主电路之间的接口，是功率器件应用的关键技术与难点之一。功率器件中的晶体管和晶闸管在应用中需要驱动器的驱动信号才可运行，功率器件驱动器的通常作用是电气隔离、信号传输与放大及功率器件的保护
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我国车规级IGBT市场现状及龙头企业分析
声明：本文为火石创造原创文章，欢迎个人转发分享，网站、公众号等转载需经授权 在碳中和背景下，近年新能源汽车进入发展快车道。据中国汽车工业协会最新统计显示，2022年我国新能源汽车爆发
车规级IGBT市场 2023-09-26 -
以高度灵活性满足高功率密度和性能需求：英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额定值模块
英飞凌科技股份公司推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合
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新能源汽车及充电桩中IGBT的应用及地位
IGBT是一种常用于高压、高电流的功率半导体器件，具有高开关速度、低导通压降和高短路耐受能力等优点，在充电桩中广泛应用；还可以通过PWM（脉宽调制）技术进行精确控制，以实现高效的电能转换和电能传输，并提供稳定、可靠的电力输出给电动车辆
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国产IGBT，迎来大丰收
根据IGBT的产品分类来看，按照其封装形式的不同，可分为IGBT分立器件、IPM模块和IGBT模块。IGBT分立器件主要应用在小功率的家用电器、分布式光伏逆变器；IPM模块应用于变频空调、变频洗衣机等白色家电产品；而IGBT模块应用于大功率变频器、新能源车、集中式光伏等领域
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Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率
为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。奈梅亨，2023年7月5日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管（IGBT）市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
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IGBT在新能源汽车中的应用及地位
IGBT是由MOS管和三极管结合组成结合了两者优点，具有高频、高电压、大电流、易于开关、低导通阻抗、不消耗驱动电流，非常适合大功率驱动场景；被业界誉为电力电子装置的“CPU”和
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新能源汽车和变频行业高需求助推IGBT高速发展
随着新能源汽车和变频器行业的蓬勃发展，电机电控对IGBT功率器件的需求日益增长；电机控制器作为电动汽车的核心部件，其安全性和可靠性直接影响到整车；而IGBT(即绝缘栅双极型晶体管)的性能则直接会影响电机控制器的性能
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意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动
2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 （iso－buck） 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3．5V－38V 宽输入电压等优势。L69
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用于IGBT和MOSFET栅极驱动光耦合器MPH343
由工采网代理的MPH343是一款输出电流为4.0A的智能栅极驱动光耦；非常适合驱动功率IGBT和MOSFET用于电机控制逆变器应用和电源系统中的逆变器；内置过流保护和软关断功能，适用于工业逆变器和光伏功率调节系统
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“根本抢不到货”！IGBT紧缺何时结束
当整个半导体行业都在忙于去库存时，IGBT（绝缘闸极双极性晶体管）几乎成了唯一的例外。近期，多位市场人士反映，受此前需求和产能错配的影响，IGBT持续供不应求，“根本抢不到货”，部分厂商甚至将相关代工价格上调10％
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安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场
全新1200 V器件提供领先市场的导通和开关性能2023 年 3 月 21日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能水平，最大程度降低导通损耗和开关损耗
安森美 2023-03-21 -
奋起直追！国内IGBT企业名单一览
在新能源汽车的成千上万样零部件中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是最为重要的一部分。这是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，与MOSFET（绝缘栅型场效应管）结构功能相似，可控制的电压范围更高。作
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瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3．75kVrms2023 年 1 月 30日，中国北京讯 － 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC
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满足光伏逆变器应用需求，茂矽推出1200V/FS工艺IGBT
伴随光伏行业的蓬勃发展和“双碳”目标的提出；光伏建筑一体化，受到各项政策支持；目前，中国光伏发电行业经过近年的快速发展，已经成为全球光伏发电规模最大、增长最快的市场。2022年1-10月，中国光伏发电装机容量36444万千瓦，同比增长29.2%
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国内IGBT产业链及行业需求发展趋势
随着电气化、高功率场景的推进，功率器件的应用范围越来越广；近20年来，各个领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，功率MOSFET和IGBT逐渐成为主流；IGBT与功率MOSFET，在某些电压和频率场景上有一定的相互替代关系，特别是第三代半导体材料制作的MOSFET与硅基IGBT之间的竞争
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IGBT的结构与工作原理及晶圆推荐
在IGBT得到大力发展之前，功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO被用于中高压领域。MOSFET虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点；但是，在2
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IGBT在新能源汽车中的重要地位
在新能源汽车中，IGBT其实是很重要的一部分，它对于一辆汽车的稳定性与安全性有着至关重要的影响；燃油车和新能源汽车的差异，主要体现在动力系统方面，而动力系统=动力电池+电机+电控系统，在新能源汽车
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IGBT依旧火热，国内企业崛起有望替代国外
功率半导体是半导体行业的细分领域，虽不像集成电路一样被大众熟知，但其重要性不可忽视。IGBT是功率半导体的一种，作为电子电力装置和系统中的“CPU”，高效节能减排的主力军。 IGBT是一个MOS
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IGBT在新能源汽车的作用和地位及市场分析
IGBT是一种大功率电力电子器件，具备高频率、高电压、大电流等特征，易于开通和关断，主要起到将直流电源逆变为交流电压的作用；以新能源汽车为例，新能源汽车中升压器（电控用）、逆变器（空调和电池热管理）和充电桩都需要IGBT
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IGBT在新能源汽车的应用
IGBT是开关半导体器件，可以说是新能源汽车的核心零部件，被称为新能源汽车的“大脑”是电力电子装置中最基本、最重要、也是用途最广的功率半导体器件。它具有沟道长度短、反向恢复电流大而漏电流小的特点，因此有很高的开关速度；在通态时它的导通电压为50V，关断时为30V
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IGBT的作用和主要应用领域
IGBT是一种由控制电路控制、是否导电的半导体；由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件；IGBT使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点；IGBT可以很容易地将输入的直流电流转换为交流电
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车规级IGBT，爆火
11月25日，时代电气发布公告称，公司拟对控股子公司株洲中车时代半导体有限公司（以下简称“中车时代半导体”）增资人民币24．6亿元，增资的资金用于中车时代半导体向公司购买汽车组件配套建设项目（包含IGBT项目）部分资产
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浅谈半导体IGBT发展及国内产业链市场需求分析
IGBT为垂直导电大功率器件它是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，同时继承了这两种功率半导体的优点：驱动功率小且饱和电压低，适用于高压、大电流领域；也是现在功率半导体的主流。 IG
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光伏+储能双驱动IGBT需求趋势及行业规模发展
功率半导体是实现电能转换的核心器件，能够对电压电流的运用进行有效控制，通过开关状态的变化，实现逆变、整流、变频等多种功能，控制电子电力系统的能量输出，将整个电子电力系统的能耗控制在最低范围内，从而达到对能量的合理管理，降低能耗，减少碳排放
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光伏逆变器专用IGBT元器件—助力提频增效
随着微电子技术和电力电子技术的发展进步，促进了新型大功率半导体器件和驱动控制电路的出现，现在逆变器多采用绝缘栅极晶体管（IGBT）、功率场效应管、MOS控制器晶闸管以及智能型功率模块等各种先进和易与控制的大功率器件
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