InGaN
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【深度】氮化铟镓（InGaN）核心技术仍需突破 市场存在较大开发空间
但尽管如此，氮化铟镓在技术成熟度、应用等方面仍存在较大提升空间，关键核心技术仍需进一步突破。 氮化铟镓（InGaN）又称为铟镓氮，是一种直接带隙半导体材料，由氮化铟（InN）和氮化镓（GaN）形成
氮化铟镓 2024-02-02 -
首尔半导体公布对InGaN系LED专利的立场
首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用 InGaN 的 LED 在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。
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