HBM

HBM3E起飞，冲锋战鼓已然擂响！

HBM即高带宽内存，是一款新型的CPU／GPU内存芯片。如果说传统的DDR就是采用的＂平房设计＂方式，那么HBM则是采用＂楼房设计＂方式。目前，HBM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发

半导体 HBM3E 高带宽内存内存芯片三星 2024-04-02

三星打造HBM内存团队，推进Mach-2芯片问世

（本篇文篇章共723字，阅读时间约1分钟）三星电子近日宣布了一项重要举措，为了加速其在人工智能领域的竞争力，公司内部实施了双轨AI半导体战略，专注于AI用存储芯片和AI算力芯片的发展

三星 HBM 2024-04-01

AI国力战争：GPU是明线，HBM是暗线

本文系基于公开资料撰写，仅作为信息交流之用，不构成任何投资建议。 2022年6月，我们率市场之先，提出“算力即国力”的观点。时至今日，这个论点已经没有太多的争议。随着英伟

GPU HBM 美光 2024-03-29

美光：存储大涨价，掀开 HBM3E 争夺战

美光（MU.O）于北京时间 2024 年 3 月 21 日早的美股盘后发布了 2024 财年第二季度财报（截止 2024 年 2 月），要点如下：1、总体业绩：收入&毛利率，再超预期

美光存储 2024-03-25

高带宽内存（HBM），谁是成长最快企业？

企业成长能力是随着市场环境的变化，企业资产规模、盈利能力、市场占有率持续增长的能力，反映了企业未来的发展前景。本文为企业价值系列之【成长能力】篇，共选取14家高带宽内存（HBM）企业作为研究样本，并以营收复合增长、扣非净利复合增长、经营净现金流复合增长等为评价指标

高带宽内存 HBM 2024-03-05

价格暴涨500%，高阶HBM市场来临

前言：无论是第五代10nm级DRAM技术，还是HBM等新技术，存储大厂都在持续发力。在英伟达、AMD、英特尔三家互搏的同时，存储厂商也没有闲着，生产和扩产成主旋律。作者 | 方文

电子工程 HBM 芯片三星 2024-03-01

价格暴涨500%，HBM市场彻底被引爆

内存技术作为计算机系统的核心组成部分，其性能的提升对于整体计算能力的提升至关重要。在这个背景下，高带宽内存（HBM）以其卓越的性能表现，正逐渐在内存技术领域崭露头角，成为推动计算领域进入全新时代的关键力量

半导体 HBM 芯片 2024-02-23

HBM4争夺战正式开启

前言： GPT-4模型有1.76万亿级的参数量，而传统计算机架构依赖于处理器和内存的相互配合，要想支撑如此庞大的数据处理与传输，半导体存储器技术需要迎来新的变革。人工智能浪潮之下，HBM从幕后走向台前，市场需求持续看涨

存储 HBM4 2023-10-20

1秒处理230部电影！SK海力士推出DRAM 新品HBM3E

8月21日消息，SK海力士宣布成功开发面向AI行业的超高性能DRAM新产品HBM3E，这是目前可用于AI应用的下一代最高规格DRAM。据悉，SK海力士计划在明年上半年开始量产HBM3E，现已提供给NVIDIA和其他客户进行性能评估

海力士存储 DRAM 2023-08-21

HBM内存：韩国人的游戏

前言： AI时代下，为满足海量数据存储以及日益增长的繁重计算要求，半导体存储器领域也迎来新的变革，HBM技术从幕后走向台前。 HBM技术之下，DRAM芯片从2D转变为3D，可以在很小的物理空间里实现高容量、高带宽、低延时与低功耗，因而HBM被业界视为新一代内存解决方案

存储美光科技 2023-06-30

HBM新时代

ChatGPT已经从下游AI应用火到了上游芯片领域，在将GPU等AI芯片推向高峰的同时，也极大带动了市场对新一代内存芯片HBM（高带宽内存）的需求。据悉，2023年开年以来，三星、SK海力士的HBM订单就快速增加，价格也水涨船高

HBM ChatGPT 存储器 2023-03-29

三星海力士 HBM3显存报价暴涨：英伟达GPU供不应求

一般来说，像HBM3这样的显存由于需求量不是很大，因此价格不会出现大波动，当然供应量也不低，毕竟制造成本高昂，产能也有限，基本上是供需平衡，然而现在由于ChatGPT的火爆，导致NVIDIA的计算卡供

三星海力士 HBM3显存 2023-02-16

巨头领跑，HBM3时代

前言：随着数据的爆炸势增长，内存墙对于计算速度的影响愈发显现。为了减小内存墙的影响，提升内存带宽一直是存储芯片聚焦的关键问题。长期以来，内存行业的价值主张在很大程度上始终以系统级需求为导向，已经突破了系统性能的当前极限

HBM 半导体 2023-01-14

巨头领跑，HBM3时代来临

前言：随着数据的爆炸势增长，内存墙对于计算速度的影响愈发显现。为了减小内存墙的影响，提升内存带宽一直是存储芯片聚焦的关键问题。长期以来，内存行业的价值主张在很大程度上始终以系统级需求为导向，已经突破了系统性能的当前极限

HBM契合半导体存储器 2023-01-12

SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM

韩国首尔2021年10月20日／美通社／－－ SK海力士宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。HBM3是第四代HBM（High Bandwidth Memory）技术＊，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，是一种高价值产品，创新性地提高了数据处理速度

芯片海力士开发 HBM3 2021-10-21

带宽破TB/s，HBM上演“存储墙消失术”？

文︱王树一图︱Rambus算力破T(即TOPS,每秒万亿次运算)已不新鲜,顶级高算力芯片的单颗算力峰值如今在数百T级别,但存储器带宽破T(TB/s,每秒万亿字节带宽)凤毛麟角。由于算力和存储器带宽/接口带宽发展速度的不均衡

HBM 算力芯片存储墙 2021-09-07

带宽提升八倍赛灵思推出Versal HBM系列应对网络与云端大数据计算挑战

Versal ACAP 系列最新成员可在单个平台上，为数据中心和网络运营商提供无与伦比的高速存储器、安全连接以及灵活应变的计算

赛灵思 2021-07-26

美光正式发布 GDDR6X 显存：带宽 1TB/s、还要啥 HBM

伴随着 NVIDIA RTX 30 系列显卡的发布，美光也正式推出了新一代 GDDR6X 显存，号称 “世界上最快的显存”。HBM 当然更快，但都是与 GPU 整合封装，而且贵得多。GDDR6X 自然

美光显存 GDDR6X 2020-09-02

海力士开始量产HBM2E显存：单颗16GB，带宽超460GB/s

日前，SK海力士半导体宣布已开始量产其新一代高速DRAM显存HMB2E，而距离公司于去年8月开始研发新产品，才刚刚过去10个月。

海力士 DRAM HBM2E 2020-07-03

国产内存尚在追赶，但DDR内存就快死了？HBM 3/4内存才是未来？

这一年来有关国内公司进军内存产业的消息甚嚣尘上,紫光公司凭借原有的英飞凌、奇梦达基础在DDR3内存上已经作出了突破,小批量生产了DDR3内存,下半年还会推出更主流的DDR4内存芯片,正在努力追赶国际主流水平。

DDR内存 HBM 3/4内存 2018-03-21

未来2年新一代内存技术产品：DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3来齐了

在今年的Hot Chip2016大会上，大家想看到的 DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代标准相继的展示在公众面前，可以说，这届大会上，内存技术的突飞猛进成为了科技媒体们争相报道的热点。而且这些新的标准和技术距离我们并不遥远，在未来2年时间就应该会陆续见到使用这些新一代技术的产品了。

Hot Chip2016 内存 DDR5 GDDR6 LPDDR5 HBM3 2016-08-25