RibbonFET
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英特尔的新突破：RibbonFET能带其重回技术巅峰？
芝能智芯出品 英特尔在2024年的IEEE国际电子器件会议（IEDM 2024）上展示了其在晶体管技术领域的最新突破——基于Silicon RibbonFET CMOS的6nm栅极长度技术，代表了当今晶体管设计的最前沿，为持续推动摩尔定律的延展提供了基础
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