三星宣布量产第2代14纳米LPP FINFET工艺芯片并用于Galaxy S7中
2016-01-15 17:14
来源：
电子工程网
三星电子计划使用第二代14纳米FinFET制程技术量产更先进的处理器，并很快将被用于三星的高端智能手机Galaxy S7中。
随着14nm LPP制程投入量产，三星进一步展现了工艺技术上的领先优势，让业界看到全新的三星Exynos 8 Octa及为高通等客户代工的处理器所具备的卓越性能和功效。高通骁龙820处理器正是采用了三星最新的14nmLPP制程技术制造，将于今年上半年出现在各品牌的旗舰智能手机上。
全新的14纳米处理器运用3D FinFET设计结构，实现高性能和低功耗。通过晶体管结构和工艺上的优化改进，与之前通过14nm LPE制程生产的处理器相比，三星14nm LPP制程生产的处理器性能提升了15%，而功耗则降低了15%。此外，使用全耗尽技术的FinFET晶体管使得芯片的生产克服了尺寸缩小的限制，制造能力将进一步增强。
“我们很高兴成为行业生产的主导者，第二代14nm FinFET工艺技术提供了最高水准的性能和功效。”三星电子系统LSI业务销售和营销执行副总裁Charlie Bae表示，“三星将致力于14nm FinFET工艺制程下一阶段的研发，始终保持我们在技术上的领先优势。”（文/Star译）
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