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台积电反击格芯,寻求实质性损害赔偿

2019-10-09 10:30
来源: 镁客网

针对此前美国芯片制造商格芯控告台积电专利侵权一事,台积电正式发布公告称,已就此事展开反击,在美国、德国及新加坡分别对格芯提出诉讼,控告格芯侵犯了台积电25项专利。

除此之外,台积电还提出法院应核发禁制令,禁止格芯生产及销售侵权的半导体产品,并对该公司寻求实质性的损害赔偿。

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据了解,台积电所提及的25项专利,其中涉及40nm、28nm、22nm、14nm及12nm等芯片制程等多项技术,如FinFET设计、浅沟槽隔离技术、双重曝光方法、先进密封环与门极结构,以及创新的接触蚀刻停止层设计,而这些技术都是当前全球领先的半导体制程中的核心技术。

台积电副总经理暨法务长方淑华表示,“此次提出法律诉讼是为了保护台积电的声誉、我们的客户和全球消费者,以确保先进半导体技术能够更好的应用于智能手机、5G、人工智能、物联网等领域及产品中,对保护公共利益极为重要。”

格芯是全球第三大晶圆代工厂,前不久,该公司在美国及德国法院控告台积电及其客户侵犯其16项专利技术,美国国际贸易委员也因此对台积电展开了调查。针对这一调查,台积电方面曾强调称,“格芯指控侵权毫无根据,且对这种不以技术做为竞争手段,而是诉诸毫无根据的法律诉讼的行为感到失望。”

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