博通公司 CTO Henry Samueli 早在 2013 年就表示过，15 年后摩尔定律就不管用了，称现有半导体工艺将在 5 nm 阶段达到极限。张汝京在 2014 年接受媒体采访时表示，摩尔定律极限是 14nm，但是随着相关厂商在封装技术与材料方面的优势，该极限可扩充至 7nm。

英伟达 CEO 黄仁勋在 CES 2019 上说，长期以来一直认为的 ＂ 计算机处理能力将每两年翻一番 ＂ 的摩尔定律，已经达到了它的发展极限。

一代巨擎 Risc 先驱 David Patterson 也表示摩尔定律真的死了，他说：“如果摩尔定律仍然有效，那我们现在就落后了 15 倍。我们正处于后摩尔定律时代（post－Moore’s Law era）。”

反方（摩尔定律还活着）

“毋庸置疑，摩尔定律依然有效且状况良好，它没有死掉、没有减缓、也没有带病。”在第 31 届 Hotchips 国际大会上，台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森（Philip Wong）博士在其专题报告中说道。他甚至在自己的 PPT 中提及，到 2050 年，晶体管的特征尺寸将到达 0．1nm。

“摩尔定律已经死了？”英特尔说这是误导，它活得很好。

摩根大通说，ASML 有能力支撑工艺技术到 1．5 nm 节点，让摩尔定律续命至 2030 年。

激烈辩论的背后，什么是摩尔定律？

在解释什么是摩尔定律之前，要先解释一下晶体管。第一个晶体管是 1947 年由贝尔实验室制造出来的，如今晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流，且具有自控开合、速度快等特点。晶体管绝对可以算得上是现代微处理器的最核心组成，目前的微处理器中集成了数十亿个近乎完全相同的晶体管，因此，提高晶体管的性能和密度是提高微处理器工作性能的最直接方法。

而今天讲的摩尔定律诞生于 1965 年，是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的，它揭示了信息技术进步的速度。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18－24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔 18－24 个月翻一倍以上。

有的小伙伴可能会提出疑问，大家通常在提到摩尔定律的时候都会关联到多少 nm，那么晶体管、摩尔定律和我们经常所说的多少 nm 又有什么关系？

其实，在早期晶体管的缩小都是类二维的，为了满足摩尔定律，人们会将晶体管的长宽各缩小到原来的 0．7，从而获得面积缩小近一半的目的（0．7＊0．7＆asymp；0．5）。根据摩尔定律，制程节点以 0．7 倍（实际为根号 2 的倒数）递减逼近物理极限，从 1＆mu；m、0．8＆mu；m、0．5＆mu；m、0．35＆mu；m、0．25＆mu；m、0．18＆mu；m、0．13＆mu；m、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、10nm、7nm、5nm、3nm……，此外还增加定义了如 28nm、20nm、14nm 等半节点，这些都是根据传统的国际半导体技术路线图（ITRS）的规定，即制程节点代数以晶体管的半节距（half－pitch）或栅极长度（gate length）等特征尺寸（CD，critical dimension）来表示得出的结果。

但是节点的演变没有完全遵循既定的方向来发展，尤其是在 20／22nm 引入 FinFET 以后，最小金属间距的减小变得很慢，厂商为了凸显出自家的技术先进性，故意将半节距的定义模糊，从此各家的命名开始混乱起来。

下面是英特尔、台积电和格芯三家不同的定义细节：

从上图中，我们就能明白为什么大家所说的英特尔的 10nm 和台积电的 7nm 的技术属于几乎同等级别的了。而目前拉开这两家晶圆厂的差距是不良率问题，在 10nm、7nm 的关键节点上，英特尔被台积电完爆，挤牙膏式的“＋”、“＋＋”工艺进阶寒凉了不少粉丝的心，一个科技界的指路明灯变成了一个普通的赚钱机器。

摩尔定律的要求就是制造更小、更好的微处理器，但是事实证明这件事情变得越来越难。简单的来说就是，芯片单位面积上可集成的与元件数量一定会达到极限，只是没有人可以告知我们，这个极限到底是多少，到底什么时候才会达到这个极限？

从技术的角度来看，随着硅片上线路密度的增加，其工艺复杂性和差错率就会呈指数形式增长，同时也大大增加了全面测试的难度。试想，如果芯片内连接晶体管的线宽达到 nm 级，相当于几个原子的大小，在这种情况下，材料的物理、化学性能都将会发生质的变化，致使采用现行工艺的半导体失去正常工作的能力，摩尔定律也就走到了尽头。

而放眼当下，最大的制约摩尔定律前行的应该就是光刻工艺的发展了。对于最先进的 EUV 技术来说，不仅光刻设备是瓶颈，材料甚至光罩上的 pellicle 也是瓶颈。

光刻设备的难点在于要提供一个精度与产率兼备的设备系统，不管是光学系统的精度还是运动结构都是难点。简单举例来说一个，一个镜片上有一个 2nm 的凹坑，拿来当放大镜一点毛病没有，用到 90nm 节点镜头可能也可接受，更高精度的呢？当然现有的 10nm 是依靠多重图形实现的，并不能一次光刻实现。但是多重图形方案也带来了两个问题，一个是一次光刻下的工程误差冗余要转嫁到多重图形方案中，所以光刻设备的控制精度实际要进一步提升；另一个是多重图案即使用 SADP 技术，也需要多次光刻实现，这就需要更多的光刻设备来维持一个代工厂的芯片周转率。精度要求高、需求量大，因此产能有限，这也从另一个角度回答了为什么英特尔 10nm 标识限量的原因（上述提到的是良率问题）。

从经济的角度来看，目前开发一款 7nm 芯片的成本是 3 亿美元，5nm 预测是 5 亿美元，而 3nm 很可能到 10 亿美元。而目前投资建设一个新 7nm 工厂是 150 亿美元，那么 5nm 工厂将需要投资 300 亿美元，3nm 则理论上是 600 亿美元。此外，作为工艺环节不可缺少的光刻机厂商，ASML 仅对 EUV 研发的投入了就达到了三十年＋90 亿欧元之巨（听说也是向英特尔、台积电、三星等巨头筹资入股才完成的）。

无论是处在哪个环节上，估计都没有几家有这般雄厚的资金傍身，只能惊叹一句：好可怕的摩尔第二定律！

2019 摩尔定律进展如何？

越来越多的人对摩尔定律持否定或悲观的态度，甚至有人戏说：“约每两年，支持摩尔定律将死的人就会翻一倍”。今天，与非网借着《记录 2019》系列专题的机会整理了一下 2019 年摩尔定律的进展情况（五大厂商），如下。

英特尔：14nm 依旧，10nm 量产

在制程工艺上，Intel 从 2015 年到 2019 上半年都一直在魔改 14nm 工艺；10nm 工艺说是在 2019 年 6 月份量产了，首发平台是 Ice Lake 处理器，6 月份出货，其他 10nm 工艺产品将到 2020 及 2021 年推出；而下一代 7nm 预计会在 2021 年量产，将首次采用 EUV 光刻工艺，相比 10nm 工艺晶体管密度翻倍，每瓦性能提升 20％，设计复杂度降低 4 倍。从 Intel 公布的 7nm 工艺的具体细节来看，晶体管密度翻倍没有什么意外，正常都应该是这样，不过每瓦性能提升 20％，这个数据要比预期更低，说明在 10nm 之后，Intel 的先进工艺在性能提升方面遇到瓶颈了。

信息源：英特尔

另据外媒报道，在今年的 IEEE 国际电子设备会议（IEDM）上，英特尔发布 2019 年到 2029 年未来十年制造工艺扩展路线图，从路线图上看，英特尔计划用 10 年的时间，将制造工艺由 10nm 升级至 1．4nm。期间每两年升级一次，每代会有＋和＋＋两个迭代版本，其中 10nm 稍有不同，其包含 10nm＋＋和 10nm＋＋＋两个迭代版本。

台积电：7nm 量产，6nm 量产，5nm 良率达 50％，3nm 成功流片

台积电是全球 7nm 工艺的晶圆厂的最大赢家，其公司总裁魏哲家在 6 月份时表示，现在市面上所有用 7nm 工艺制造的芯片，全部都是台积电生产的。数据显示，截至 2019 年 6 月份，台积电 7nm 已经获得了 60 个 NTO（New Tape Out 的缩写，也就是新产品流片），预测在 2019 年这个数字也将会突破 100 个。

在 7nm 工艺之后，台积电今年还推出了 7nm＋工艺，作为台积电首个使用 EUV 光刻技术的节点，台积电的 7nm＋的逻辑密度是前一代工艺（7nm）的 1．2 倍，在良率方面的表现和 7nm 相比也不分伯仲。

在 7nm 和 7nm＋工艺之后，台积电推出了 6nm 工艺，按照台积电的说法，这个工艺将会在未来相当长的一段时间内扮演重要的角色。

信息源：台积电

在 6nm 之后，台积电提到了专门为移动和 HPC 应用优化的 5nm 工艺，据最新消息称台积电的 5nm 工艺良率已经达到了 50％，比当初 7nm 工艺试产之前还要好，最快明年第一季度就能投入大规模量产。

在 5nm 之后，台积电也规划了一个性能增强版的 5nm＋工艺。据介绍，这个工艺较之 5nm 将有 7％的速度提升，15％的功耗降低。

再往后，台积电就要进入深水区了，迎来晶体管结构大改的 3nm 工艺，据最新消息显示，台积电对 3nm 工艺的发展情况很满意。

在 3nm 工艺之后，台积电也在积极进军 2nm 节点，这个工艺目前来说还是在技术规划阶段，台积电给自己制定的目标是 2nm 工艺 2024 年量产。

三星：7nm 量产，6nm 量产，5nm 测试

三星在 10nm、7nm 及 5nm 节点的进度都会比台积电要晚一些，导致台积电几乎包揽了目前的 7nm 芯片订单，三星只抢到 IBM、NVIDIA 及高通部分订单。

信息源：Sumsung

根据路线图，三星工艺近期有 14nm 、10nm、7nm、3nm 三个重要节点，其中 14nm 会演化出 11nm，10nm 会演化出 8nm，7nm 则会演化出 6nm、5nm、4nm。

而每种工艺往往又会根据性能、功耗的不同而分为多个版本，比如 14nm 分成了 14LPE、14LPP、14LPC、14LPU，3nm 则分成 3GAE、3GAP，预计会采用全新的材料。

在工艺进度上，三星今年 4 月份已经在韩国华城的 S3 Line 工厂生产 7nm 芯片，今年 9 月宣布完成了 4nm 工艺的开发。

此外，三星在 9 月日本举行的“三星晶圆代工论坛”SFF 会议上表示，在 3nm 节点，三星将从 FinFET 晶体管转向 GAA 环绕栅极晶体管工艺，其中 3nm 工艺使用的是第一代 GAA 晶体管，官方称之为 3GAE 工艺，预计在 2020 年完成 3nm 工艺开发。会上，三星还公布了 3nm 工艺的具体指标，与现在的 7nm 工艺相比，3nm 工艺可将核心面积减少 45％，功耗降低 50％，性能提升 35％。

格芯：转战 FD－SOI

信息源：格芯

格芯作为全球第二大晶圆代工厂，在 2018 年没能逃脱亏损的命运，以致于母公司阿布扎比穆巴达拉投资基金都撑不住了，在去年 8 月份宣布停止烧钱的 7nm 及以下工艺研发，和卖掉一系列晶圆厂后，转战 FD－SOI，来满足高速增长的物联网市场。在第七届上海 FD－SOI 论坛上，格芯高级副总裁 Americo Lemos 表示，格芯已经拥 22 个应用平台，包括毫米波、存储和射频等。目前，格芯已经从 40、50 nm 工艺深入到 22 nm。在 2019 年，22FDX 工艺已经有 26 个产品 tape out，其中一半的客户来自于中国市场。

此外，格芯（GlobalFoundries）在 9 月宣布，采用 12nm FinFET 工艺，成功流片了基于 ARM 架构的高性能 3D 封装芯片。这意味着格芯亦投身于 3D 封装领域，将与英特尔、台积电等公司一道竞争异构计算时代的技术主动权。

中芯国际：14nm 量产

信息源：中芯国际

很长一段时间内，代表大陆自主技术水平的就是中芯国际、华虹半导体的 28nm 工艺，而近日中芯国际对外宣称其 14nm 制程工艺的芯片已经正式实现量产，并将于 2021 年正式出货。

此外，中芯国际于 2019 年从 ASML 购入了一台 EUV 光刻机，为研发 7nm 工艺做准备。虽然距离世界先进水平还有距离，但这也算是“中国芯”史上的一大突破吧。

续命：采用 3D 封装抢占异构技术制高点

当 1995 年，当大家唱衰晶体管 65nm 是瓶颈的时候，采用氧化硅的栅氧层厚度随着节点的进步降到了 2nm，但是采用 high k 材料后集成电路仍然在向更密集发展。

当大家都以为 1999 年就是那个极限的时候，胡正明成功研制出了 FinFet，它将半导体器件结构的维度从二维提升到了三维，提升了我们对晶体管通断性质的控制，也很好地解决了由于尺寸缩小而带来的漏电流过大的问题，使晶体管制程进化到如今的 7nm 工艺。

所以说没有人会知道真正的极限在哪里，如今再遇瓶颈，成本、单芯片体积、散热问题、测试、EDA 工具等等，唱衰不是没有道理。然而微电子研究中心 IMEC 笃信将在 2024 年实现 2．5nm 左右的工艺节点，此外，1nm 的目标也可以实现，到那时各厂市场部宣传的单位将是埃米而不是纳米。

信息源：知网

是什么给了“IMEC 派”勇气？

答案是互补场效应晶体管（CFET）和垂直纳米线 FET（VFET）。

CFET 是一种更复杂的全栅型器件，可以将一个 nFET 堆叠在 pFET 导线的顶部，或者将两个 nFET 堆叠在两个 pFET 导线的顶部，来缩小面积，从而获得更大的功率和更好的性能。

垂直纳米线 FET（VFET），顾名思义采用的是垂直地堆叠导线方式，即源极、栅极和漏极堆叠在一起，它是缩放 SRAM 的有效方式，但它不能缩小逻辑单元。

这些技术还都没有被推广开来，因此前途未卜，就目前而言，像台积电、英特尔等巨头纷纷选择了 3D 封装技术，来解燃眉之急。

台积电在 2018 年 4 月的美国加州圣塔克拉拉（Santa Clara）第二十四届年度技术研讨会上首都宣布创新的系统整合单芯片（SoIC）多芯片 3D 堆叠技术，是采用硅穿孔（TSV）技术，达到无凸起的键合结构，可以把很多不同性质的临近芯片整合在一起，直接透过微小的孔隙沟通多层的芯片，达成在相同的体积增加多倍以上的性能，从而持续维持摩尔定律的优势。

英特尔也在 2018 年 12 月首次推出全球第一款 3D 封装技术 Foveros，随后推出的 Lakefield 芯片算是一个验证。而在今年召开的 SEMICON West 大会上，英特尔再次推出了一项新的封装技术 Co－EMIB，它能够让两个或多个 Foveros 元件互连，并且基本达到单芯片的性能水准。设计人员也能够利用 Co－EMIB 技术实现高带宽和低功耗的连接模拟器、内存和其他模块。

综上，3D 封装技术在异构计算时代，面对多种不同类型的芯片集成需求，是一种非常有效的解决方案。

写在最后

就如美国 CyberCash 公司的 CEO 丹？林启表示：“摩尔定律是关于人类创造力的定律，而不是物理学定律”。我们不能否认摩尔定律带动了半导体产业的白热化，它一方面可以倒逼技术的演进，但另一方面也极致地体现了资本家早有准备的利益最大化思想，因此摩尔定律称不上是真正意义上的定律，而只是谋取利益的一种手段。

基于以上理念，摩尔定律是否已死？其实已经没有实质意义，也许在未来 10 年内就会被其他所谓的“时代定律”所替代，但是这种创新的精神还是值得传扬的，你说呢？