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海力士开始量产HBM2E显存:单颗16GB,带宽超460GB/s

日前,SK海力士半导体宣布已开始大规模量产其新一代高速DRAM显存HMB2E,而距离公司于去年8月开始研发新产品,才刚刚过去10个月。

海力士的HBM2E据称拥有每秒460GB以上的带宽, 共拥有1024个 I/Os(输入/输出),具备每pin 3.6Gbps的速度性能。它是业内目前最快的DRAM存储方案,能够每秒传输124部FHD(全高清)电影(3.7GB /部)。

HBM2E通过TSV(硅打孔技术)技术垂直叠加8个16GB芯片,芯片容量达16GB,比上一代HBM2增加了一倍多。

海力士表示,HBM2E具有高速、大容量、低功耗的特性,是下一代人工智能系统的最佳内存解决方案,包括深度学习加速器( Deep Learning Accelerator )和高性能计算(High-Performance Computing)等需要高水平计算性能的AI研发。

此外,HBM2E预计将被应用于百万兆级的超级计算机,这是一种高性能计算系统,能够进行每秒百亿亿次的计算,在下一代基础科学和应用科学的研究中,例如气候变化、生物医学和空间探索,将发挥决定性作用。

SK海力士执行副总裁兼CMO Jonghoon Oh表示:“一直以来,海力士都走在科技创新的最前沿,其成就包括全球首个HBM产品的开发。而随着HBM2E的大规模生产,我们将继续加强我们在高端内存市场的存在,并领导第四次工业革命。”

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