格罗方德12LP+ FinFET制程准备投入生产

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2020-07-01 10:21

格罗方德于日前宣布，其全新FinFET半导体制程计划12LP＋已完成技术鉴定，正准备投入生产。

12LP＋的开发目的是为了优化AI训练和推理应用，满足快速增长的AI市场的特定需求。格罗方德表示，他们有自信12LP＋在性能、功耗和面积方面都是同类产品中最好的。相比12LP，12LP＋具备的新特性包括更新的标准单元库，2.5D封装中介层，以及低功耗SRAM存储单元，能够实现AI处理器和内存之间的低延迟和高效数据传输。

“AI正在成为我们生活中最具颠覆性的技术。”格罗方德计算和有线基础设施高级副总裁兼总经理Amir Faintuch说道，“AI系统的功率效率，尤其是你能从最小功率中获得多少操作，将成为一个公司在决定投资数据中心或边缘人工智能应用时考虑的最关键因素之一。12LP＋正是为应对该挑战而生。”

12LP＋以GF已有的14nm/12LP为基础设计，此前格罗方德通过后者已出货超过100万片晶圆。通过与AI行业客户紧密合作，GF开发了12LP＋，为AI领域的设计师提供了更高的价值，同时最小化他们的开发和生产成本。

12LP＋的性能提高，主要包括比12LP提高20％的SoC逻辑性能，以及10％的逻辑区域扩展。这些优化主要依靠于12P＋搭载的新一代标准单元库，其中包括性能驱动区域优化组件、单个Fin单元、全新低压SRAM存储单元以及改进的模拟布局设计规则。

除了12LP现有的IP组合，格罗方德也将为12LP＋扩展IP验证，包括PCIe 3/4/5和USB 2/3主机处理器，HBM2/2e， DDR/LPDDR4/4x和GDDR6外部存储等。

12LP＋ FinFET制程目前已经通过了认证，并正计划于格罗方德位于纽约马尔他的工厂投入生产，预计将在2020年下半年开始试生产。