无须光刻机中芯国际N+1代工艺将试产

2020-09-22 13:56

21IC电子网

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华为被禁之后,国产替代成了半导体企业关注的重点。作为中国最大,技术最先进的半导体代工厂家,中芯国际被寄予厚望。

近日有媒体报道称,在大规模量产14nm工艺后,中芯国际的N+1代工艺已经进入客户导入阶段,可望于2021年进入量产。

对此,中芯国际回应称,该公司的第一代FinFET 14nm工艺已于2019年第四季度量产,第二代FinFET N+1工艺已经进入客户导入阶段,可望于2020年底小批量试产。

在没有使用EUV光刻机的情况下,中芯国际实现了14nm以下的先进制造工艺,不能不说是一个突破性进展。

据了解,中芯国际目前在国内四个城市拥有多家晶圆厂,分别是上海的8英寸晶圆厂和12英寸晶圆厂,北京亦庄的12英寸晶圆厂一期和二期,天津和深圳各有一座8英寸晶圆厂。

作为一家纯代工企业,中芯国际目前可以向全球客户提供从0．35微米到14纳米工艺的代工生产服务,同时,还可以为客户提供从生产、封装到测试的一体化全方位晶圆代工解决方案。目前,中芯国际的工艺技术主要分为三类:先进逻辑技术(14纳米、在研的N+1代工艺等)、成熟逻辑技术(28nm,40nm ,65nm/55nm ,90nm,0．13/0．11μm,0．18μm,0．35μm等),特殊工艺(Analog&Power ,DDIC ,IGBT ,eNVM,NVM,Mixed Signal&RF,MEMS,IoT Solutions,Automotive等)。

21ic家注意到,在中芯国际的先进逻辑技术中,N+1代工艺是中芯国际对其第二代先进工艺的代号,但并未明确具体数字节点。不过从中芯国际透露的数据来看,其N+1代工艺比14nm工艺性能提升了20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%、SoC面积缩小55%。N+1代工艺的制程节点正在追赶7nm制程,因为从其芯片面积缩小一半这个数据来看,晶体管的集成度提升了一倍,而台积电从14nm到7nm工艺也就提升了1倍的密度。

按照中芯国际的回应,2020年底小批量试产N+1工艺,那可以预见量产也就不远了,高端晶圆代工的国产替代指日可俟矣!

来源:21ic