华润微：积极布局第三代半导体
核心观点
1． 第三代半导体弯道超车,产品路线积极迭代。硅基的IGBT器件发展到第七代已经遇到了工艺技术的瓶颈,无法通过工艺的改进来提升功率密度,IGBT模块在提升功率密度的同时又面临散热等问题,从而以氮化镓和碳化硅为衬底的第三代半导体技术呼之欲出。目前除了成本方面第三代半导体比硅基要高10倍左右之外,其他的性能参数都优于硅基的功率半导体器件。
2． 国内企业积极布局,把握弯道超车机遇。国内半导体企业在硅基领域相差国外半导体企业在10-20年的时间,但由于第三代半导体是近些年的产物,国内企业差距尚不是很大,产业链公司积极布局,从衬底材料到功率和射频器件,有望实现弯道超车的机会。
3． 碳化硅(SiC)业务积极拓展,参股外延片企业延伸产业链。公司积极布局和拓展碳化硅业务及供应链,公司通过华润微电子控股有限公司与国内领先的碳化硅外延晶片企业-瀚天天成电子科技(厦门)有限公司达成《增资扩股协议》,增资后公司持有瀚天天成3．2418%的股权,通过资本合作和业务合作积极带动SiC业务的发展和布局。
4． 硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术国内领先,积极拥抱快充蓝海。公司自主开发的第一代650V硅基氮化镓器件静态参数达到国外对标样品水平,MOCVD外延材料生产设备已完成安装改造和调试,具备研发条件。
盈利预测:我们预计公司2020-2022年营收67．3/79．0/92．6亿元,净利润7．9/9．2/10．9亿元,维持“强烈推荐”评级。
风险提示:1)产品迭代不及预期,毛利率下滑;2)海外疫情恢复,面临国际厂商的竞争;3)国产替代不及预期
正文如下
以上为报告部分内容,完整报告请查看《华润微:积极布局第三代半导体》
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