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中芯国际:FinFET工艺已量产 产能1.5万片

2021-08-06 14:41
快科技
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8月5日晚,中芯国际发表了2021年Q2财报,营收13.4亿美元,同比增长43.2%,环比增长21,8%,归母净利润为6.88亿美元,环比增长332.9%,同比增长398.5%。

在财报电话会上,中芯国际联席CEO赵海军也透露了公司的先进工艺的情况,表示“我们的FinFET工艺已经达产,每月1.5万片,客户多样化,不同的产品平台都导入了。(这部分)产能处于紧俏状态,客户不断进来。”

根据之前的报道,中芯国际的FinFET工艺有多种类型,其中第一代FinFET工艺是14nm及改进型的12nm,目前1.5万片产能的主要就是14/12nm工艺,第二代则是n+1、n+2工艺,已经试产,但产能不会有多大。

根据中芯国际联席CEO梁孟松博此前公布的信息显示,N+1工艺和现有的14nm工艺相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。

从逻辑面积缩小的数据来看,与7nm工艺相近。

梁孟松博士也表示,N+1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似,但性能要低一些(业界标准是提升35%),所以中芯国际的N+1工艺主要面向低功耗应用的。

而在N+1之后,中芯国际还会有N+2,这两种工艺在功耗上表现差不多,区别在于性能及成本,N+2显然是面向高性能的,成本也会增加。

此外,梁孟松还透露,中芯国际的28nm、14nm、12nm、N+1等技术均已进入规模量产,7nm技术开发已经完成,今年4月可以进入风险量产,5nm、3nm最关键也是最艰巨的8大项技术也已经有序展开,只等EUV极紫外光刻机到来,就可以进入全面开发阶段。

作者:宪瑞来源:快科技

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