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SK海力士官宣：238层NAND闪存芯片明年上半年量产
2022-08-03 10:11
来源：
OFweek电子工程网
8月3日，世界第二大存储芯片制造商韩国 SK 海力士（SK Hynix）宣布，已经开发出最先进的NAND闪存芯片，该芯片由238层存储单元组成，将用于个人电脑存储设备，以及智能手机和服务器。
据SK海力士介绍，新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50％，读取数据消耗的能量降低21％。SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。
此前，SK海力士了英特尔NAND业务后将其正式更名为Solidigm，它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18％，仅次于三星的35．3％和铠侠的18．9％。
如今，各大芯片厂商在对待先进制程的NAND闪存芯片上一个比一个卷，上周美光也宣布已开始量产全球首款232层NAND，与前几代美光NAND相比，它具有业界最高的面密度，并提供更高的容量和更高的能效。
美光表示，232层NAND技术实现业界最快的NAND I ／ O速度：每秒2．4GB，比美光176层NAND快50％。美光的232层 NAND实现了有史以来最高的每平方毫米TLC密度：14．6Gb／mm2。232层NAND采用新的11．5毫米x13．5毫米封装发货，其封装尺寸比美光前几代产品小28％。目前，美光的232层NAND已在该公司的新加坡工厂量产。
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