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闪存芯片

联手KKR 西部数据重新竞购东芝闪存芯片业务

西部数据宣布,该公司与私募股权投资公司KKR已经重新提交了东芝闪存芯片业务的竞标方案。

再延期 东芝倾向于将闪存芯片业务卖给美日韩联合体

据国外媒体报道,东芝预计将在月底决定闪存芯片业务的最终买家,而此前出价最高的由富士康和苹果等企业组成的竞购团,有可能在竞购中白忙活一场,因为外媒的消息显示,东芝更倾向于将闪存芯片业务卖给贝恩资本牵头的由美国、日本和韩国企业组成的联合体。

西数开始生产 64层 512 Gb 3D NAND 闪存芯片

西部数据(WD)于今日(7 日)宣布其已开始生产业内最密集的 3D NAND 闪存芯片,堆叠达到了 64 层。当然,每单元存数比特位数也从 2 增加到了 3(说白了就是从 MLC 变成了 TLC)。

镁光:3D闪存芯片能让手机拥有更多内存容量

近日在加州圣克拉拉举行的闪存峰会(Flash Memory Summit)上,镁光公布了他们的首款 3D NAND 闪存芯片。这种闪存芯片在不改变尺寸的情况下能提供更多的储存空间。

兆易创新主营闪存芯片 净资产收益率波动较大

北京兆易创新科技股份有限公司将于2016年8月8日在上交所启动上市申购。公司本次拟发行新股不超过2500万股,股票代码:603986。保荐机构是申万宏源证券。兆易创新主营业务为闪存芯片及其衍生产品的研发、技术支持和销售。

IC设计| 2016-08-05 评论

东芝3D闪存芯片:存储容量将提高三成

目前,越来越多的智能手机厂商,开始大幅度提高手机闪存的容量,市场对于闪存的需求和技术要求越来越高。据悉,日本东芝和韩国三星电子在闪存技术上存在激烈竞争,而东芝领先了一局,该公司即将大规模生产3D闪存

其它| 2016-07-18 评论

西安变电站“炸伤”三星工厂 或波及闪存芯片市场

6月18日,西安长安区变电站起火爆炸,三星位于西安的半导体工厂成为“最受伤”的公司。

武汉存储芯片基地动工 主攻NAND闪存及DRAM内存

位于武汉的国家存储器基地已经在28日破土动工,该项目由武汉新芯科技(XMC)公司主导,预计投资240亿美元,背后则是国家大基金及武汉市政府基金支持,意图在武汉打造全国最大、最先进的存储芯片基地。

武汉新芯闪存芯片厂动工 中国半导体产业能否后来居上?

中国正打造一个世界级的半导体产业,生产广泛用于电子设备的存储芯片。中国正斥资240亿美元打造一个世界级的半导体产业,将与一家美国公司合作生产广泛用于电子设备的存储芯片

闪存!三星推出128GB容量RAM芯片

在这个内存芯片中,三星填进去了144个芯片,形成了36×4GB DRAM封装,每个封装中有4×8Gb芯片,得以获得128GB内存。

闪存巨头联姻 2015全球芯片并购额望刷新记录

全球芯片业又一宗超大规模并购交易本周敲定。21日,美国硬盘厂商西部数据(Western Digital)宣布以约190亿美元收购闪存芯片制造龙头企业晟碟(SanDisk)。今年以来全球芯片业并购总额已经超过1000亿美元,有望刷新历史纪录。

IC设计| 2015-10-26 评论

英特尔大连工厂转产NAND闪存芯片

据外电报道,英特尔周二表示,该公司计划让位于大连的半导体制造工厂转产存储芯片。在未来的三至五年内,该工厂的转产将为英特尔带来至少35亿美元的支出。英特尔称,该公司对大连工厂的投资最高将达到55亿美元。

其它| 2015-10-21 评论

三星量产48层3D V-NAND闪存芯片 死磕东芝

全球第一个48层堆叠、单Die容量256Gb的首发被东芝抢了去。不过三星也不是吃素的,今天宣布正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。没错,这是第三代了。

库存严重 下半年闪存芯片将暴跌30%

多家市场金融研究机构近来都给出预测,认为目前几近平稳的内存市场将在下半年刮起降价风暴,原因来自市场供需以及厂商产品引导等多个方面。高盛近日将闪存芯片巨头镁光科技的投资评级由之前的“中立”进一步下调至“卖出”。

谁能顶住高昂成本?未来闪存芯片量产分析

固态硬盘深入人心,闪存产品跨越了从消费级到企业级,促成了全面的存储技术改革升级,在这块兵家之地上,已经不在是原先传统硬盘的四国鼎立,或者说希捷与西数的两强对峙。面对这一片完全不可预期的市场,每一个身处其中的王牌厂商都要让自己每一步走的沉稳。

高端iPhone6用<font color='red'>闪存</font>廉价<font color='red'>芯片</font>?SLC/MLC/TLC详解

高端iPhone6用闪存廉价芯片?SLC/MLC/TLC详解

近日,iPhone 6手机存在闪存的问题风声四起,更有报道宣称将会大面积召回iPhone 6等手机,有关64GB和128GB版本iPhone6真的有很大缺陷吗?如今,多家媒体大肆报道了TLC闪存颗粒寿命短缺陷多等特点,导致人们对iPhone6的质量问题非常担忧。

IC设计| 2014-12-08 评论

三星推业内首款3bit3D V-NAND闪存 引领3D存储芯片新纪元

三星电子存储芯片营销部门负责人韩宰洙高级副总裁表示:“通过推出一条全新的高性能高密度固态硬盘产品线,我们相信3bit V-NAND将会加快数据存储设备从传统硬盘向固态硬盘的转换。”

IC设计| 2014-10-09 评论

受到Galaxy Note 4青睐 三星全新嵌入式闪存NFC芯片将量产

三星电子今天宣布推出全新近场通信(NFC)芯片S3FWRN5,以小型封装实现强大射频(RF)性能。相比上一代产品S3FNRN3,新推出的S3FWRN5芯片的RF性能得到显著提高,阅读器和卡仿真模式的RF连接距离延长了一倍。

IC设计| 2014-10-08 评论

iPhone6主板上被曝光一块东芝16GB闪存芯片(图)

今天,来自Feld&Volk的iPhone6主板照片中,我们除了看到了NFC芯片外,还有一块来自东芝的闪存芯片。根据东芝的零件图号,图片中的芯片容量为16GB,这也意味着iPhone6将继续提供低配16GB版本。

其它| 2014-08-30 评论

2014年中国闪存芯片行业与上下游行业的关联性分析

集成电路产业链上游为集成电路设计、晶圆制造、封装、测试,下游为电子产品制造。其中,集成电路设计是整个产业链的核心,为集成电路制造产品提供设计版图;晶圆制造、封装和测试则为集成电路设计提供加工服务。

IC设计| 2014-07-12 评论
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