美国要再出手,全面锁死中国18nm以下DRAM、128层以上NAND芯片
众所周知,从去年10月份开始,美国对中国的芯片产业就进行了一轮新的打压,并且是全面的打压。
按照当时的禁令,对18纳米以下DRAM内存的生产设备,128层以上NAND闪存生产设备,以及14纳米以下逻辑芯片的生产设备全部禁售。
很明显,美国的目的就是要锁死这些先进芯片的生产,让中国只能生产落后的芯片,然后先进的芯片靠进口,这样美国不仅可以获得经济上的利益,还能够继续卡住我们的脖子。
不过当时,考虑到一些国外厂商在中国也设有晶圆厂,并且是涉及到先进工艺的,比如韩国三星、SK海力士在国内的DRAM、NAND厂。
比如三星在西安设有生产两座NAND工厂生产128/176层存储芯片。SK海力士在无锡拥有两座DRAM晶圆厂,生产14nm工艺的。
所以美国对韩企进行了豁免一年,即三星、SK海力士的工厂,暂时不受限,可以采购到先进的设备,用来生产18nm以下DRAM、128层以上NAND。
但是这个豁免可能也要收紧了,美国商务部副部长Alan Estevez 2月23日在华府智库战略与国际研究中心(CSIS) 主办的论坛中表示:“美方可能对韩企在中国的成长程度设限,那些公司会被要求停留于目前所处的堆叠层数,或其技术范围内某水平。”
什么意思?意思就是接下来美国会出手,韩企也会受限,不准这些韩企再采购先进设备了,也不准这些韩企的芯片制造工艺前进了。
更确切一点的来讲,就是美国计划全面锁死中国18nm以下DRAM、128层以上NAND芯片制造,不管是国外企业,还是中国本土企业,都锁住。
这会导致什么后果?一是中国大陆境内,基本上就接触不到先进工艺的设备,彻底与这些设备无缘了,这个影响有多大,大家懂的。
其次,这些韩企后续为了发展,可能不得不外迁,迁到一些不受限的国家和地区去,这对中国制造也会形成大的冲击,因为这些外企一迁,又会影响到上、下游的供应链……
可见,我们不能抱有任何幻想,只有自研、突破,让对方没有脖子可卡才行。
原文标题 : 美国要再出手,全面锁死中国18nm以下DRAM、128层以上NAND芯片

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