美国要再出手，全面锁死中国18nm以下DRAM、128层以上NAND芯片
众所周知，从去年10月份开始，美国对中国的芯片产业就进行了一轮新的打压，并且是全面的打压。
按照当时的禁令，对18纳米以下DRAM内存的生产设备，128层以上NAND闪存生产设备，以及14纳米以下逻辑芯片的生产设备全部禁售。
很明显，美国的目的就是要锁死这些先进芯片的生产，让中国只能生产落后的芯片，然后先进的芯片靠进口，这样美国不仅可以获得经济上的利益，还能够继续卡住我们的脖子。
不过当时，考虑到一些国外厂商在中国也设有晶圆厂，并且是涉及到先进工艺的，比如韩国三星、SK海力士在国内的DRAM、NAND厂。
比如三星在西安设有生产两座NAND工厂生产128／176层存储芯片。SK海力士在无锡拥有两座DRAM晶圆厂，生产14nm工艺的。
所以美国对韩企进行了豁免一年，即三星、SK海力士的工厂，暂时不受限，可以采购到先进的设备，用来生产18nm以下DRAM、128层以上NAND。
但是这个豁免可能也要收紧了，美国商务部副部长Alan Estevez 2月23日在华府智库战略与国际研究中心（CSIS） 主办的论坛中表示：“美方可能对韩企在中国的成长程度设限，那些公司会被要求停留于目前所处的堆叠层数，或其技术范围内某水平。”
什么意思？意思就是接下来美国会出手，韩企也会受限，不准这些韩企再采购先进设备了，也不准这些韩企的芯片制造工艺前进了。
更确切一点的来讲，就是美国计划全面锁死中国18nm以下DRAM、128层以上NAND芯片制造，不管是国外企业，还是中国本土企业，都锁住。
这会导致什么后果？一是中国大陆境内，基本上就接触不到先进工艺的设备，彻底与这些设备无缘了，这个影响有多大，大家懂的。
其次，这些韩企后续为了发展，可能不得不外迁，迁到一些不受限的国家和地区去，这对中国制造也会形成大的冲击，因为这些外企一迁，又会影响到上、下游的供应链……
可见，我们不能抱有任何幻想，只有自研、突破，让对方没有脖子可卡才行。
原文标题 : 美国要再出手，全面锁死中国18nm以下DRAM、128层以上NAND芯片
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