当前位置:
OFweek 电子工程网
> 正文
N-沟道功率MOSFET-MPF12N65
2023-08-14 16:17
工采网电子元件
关注
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管;它由金属、氧化物和半导体材料构成;分为N沟道型(NMOS)和P沟道型(PMOS)两种类型;具有低功耗、高速度、小型化、可靠性优点。
工作原理是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流流动,实现信号放大或开关操作;由于MOS管结构简单,可以实现高度集成的电路设计,在现代电子技术中起着不可忽视的作用。
可广泛应用于电子设备中,如集成电路、电源管理、通信系统等领域;MOS管在集成电路中作为逻辑门、存储器和微处理器等关键组件,可以实现高度集成和小型化。在电源管理中,MOS管用于电池管理、功率放大和开关控制等。在通信系统中,MOS管用于射频功率放大器、调制解调器和滤波器等。
由工采网代理的MPF12N65是一款高压平面MOS管;采用N-type沟道形式;TO-220F封装;可应用于LED电源/适配器/PD快充等等。
MPF12N65特性:
额定电压(电流):650V-12A
栅极开启电压:2.0V~4.0V
导通电阻:典型值0.65Ω,绝对值为0.8Ω
栅极电荷量(nC):40.2
输入结电容(pF):1780pF
台湾美禄在MOS管领域颇有建树,技术以及产品方面已经很完善,提供高压、中低压MOS管了解更多型号及相关技术资料,欢迎联系:19168597394(微信同号)
原文标题 : N-沟道功率MOSFET-MPF12N65
声明:
本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。
图片新闻
最新活动更多
-
4月30日免费下载 >> SPM31智能功率模块助力降低供暖和制冷能耗,打造可持续未来!
-
4月30日限时免费下载>> 高动态范围(eHDR)成像设计指南
-
5月10日立即下载>> 【是德科技】精选《汽车 SerDes 发射机测试》白皮书
-
5月16日火热报名>>> OFweek锂电/半导体行业数字化转型在线研讨会
-
5月22日立即报名>>> OFweek 2024新周期显示技术趋势研讨会
-
5月28日立即观看>> 【在线研讨会】Ansys镜头点胶可靠性技术及方案
发表评论
请输入评论内容...
请输入评论/评论长度6~500个字
暂无评论
暂无评论