mos
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UPS不间断电源电路使用的MOS管
中高压MOS管是一种常用的功率器件具有较高的耐受电压能力和功率承载能力;主要用于中高压电路中的功率控制和放大应用;它们通常在几十伏到数百伏的电压范围内工作,并能够承受更大的电流负载。 中高压MOS管
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应用在充电器领域中的中高压MOS管
充电器是采用高频电源技术,运用智能动态调整充电技术的充电设备。(充电器)充电机通过微机控制技术,实现优化的Wsa+Pulse充电特性曲线,充电电流随蓄电池的充电电压的升高而自动下降;结合充电末期的脉冲充电方式,使充电效果更为理想
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科信电子携中低压MOS管和三极管等产品和方案成功亮相2022慕尼黑华南电子展!
11月15日-17日,2022慕尼黑华南电子展在深圳国际会展中心圆满举行。慕尼黑华南电子展作为电子行业展览,是行业内重要的盛事。本届慕尼黑华南电子展览会汇聚近千家国内外优质电子企业,涵盖从产品设计到应用落地的上下游产业,展示内容包括了半导体、传感器、物联网技术、汽车电子及测试等
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荣湃半导体携数字高压隔离开关(替代光MOS)、半桥驱动等产品亮相2022慕尼黑华南电子展!
11月15日-17日,2022慕尼黑华南电子展览会在深圳国际会展中心成功举办。慕尼黑华南电子展作为电子行业展览,是行业内重要的盛事。本届慕尼黑华南电子展览会汇聚近千家国内外优质电子企业,紧贴行业发展热
半导体 2022-11-28 -
一文了解MOS管寄生电容是如何形成的?
MOS管规格书中有三个寄生电容参数,分别是:输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。该三个电容参数具体到管子的本体中,分别代表什么?是如何形成的?功率半导体的核心是PN结,从二极管、三极管到场效应管,都是根据PN结特性所做的各种应用
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一文了解如何区分三极管和MOS管?
极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件
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反激电源MOS管两次振铃现象产生原因?
本周在技术交流群中有群友抛出这么一个问题:反激电源MOS D-S之间电压波形产生的原因?这是一个典型的问题,本质原因就是功率级寄生电容、电感引起的谐振,然而几天后我发现,当时我并没有充分理解问题,这位朋友所要了解的问题其实应细化为:为什么会有两次谐振
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乐山无线电发涨价函:MOS上涨15%
继矽力杰、恩智浦、瑞萨、微芯科技、士兰微、光宝科技、富满电子、强茂、新洁能、汇顶科技、瑞能半导体、意法半导体、Diodes、华微电子、ALPHA&OMEGA、赛灵思、微盟电子、得一微电子、晶导微电子、
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什么是MOS管?MOS管有什么优势?
MOS管是金属 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半导体 (semiconductor) 场效应晶体管,或者称是金属 — 绝缘体 (insulator) — 半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区
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臭名昭著的MOS管米勒效应
如下是一个NMOS的开关电路,阶跃信号VG1设置DC电平2V,方波(振幅2V,频率50Hz),T2的开启电压2V,所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。
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板子上的MOS管真的能持续安全工作吗?
板子上的功率MOS管是否能持续安全工作,是设计者最担心的问题。炸机、用着用着就坏了、莫名其妙MOS管就炸了,工程师遇到这些真是又怕又恨,可到底是哪里出问题了呢?这一切其实都和SOA有关。我们知道开关电源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件
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应力诱导曲率对4H-SiC MOS平带电压和界面态密度的影响
文章发现样品的横光学(TO)声子波数与薄膜的曲率有关,这表明应力主要会影响SiO2 / SiC的界面。根据实验结果,本文作者提出“无应力”氧化膜可能是SiC-MOSFET应用的最佳选择。
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N沟道、P沟道MOS管基本原理与应用案例
在实际电路中,一般都用MCU的GPIO代替Key开关来控制,同时MCU高电平时3.3V,因此GPIO输出控制信号时需要使用三极管,在这里三极管的选择也有区别。
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无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块开始量产
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开始SiC-MOS模块(额定1200V/180A)的量产。
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