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国产刻蚀机大进步:达到3nm,拿下国内60%份额,逼退美企
众所周知,在目前的芯片制造工艺中,光刻机、刻蚀机是必不可少的两个重要工具。
如果从所有的半导体设备的成本来看,光刻设备占其中的20%,而蚀刻设备占其中的23%,两者占其中的43%的比例,足以证明光刻--蚀刻有多重要了。
光刻与蚀刻也是成套使用的,光刻工艺后,就是蚀刻工艺,缺一不可,不可替代。
而光刻机方面,国内的技术很落后,这个大家都清楚的。但刻蚀机方面,国内的技术可不差,完全是国际先进水平。
之所以这么强,这是因为一家公司,那就是中微半导体,由尹志尧博士于2004年创立。
在创立中微半导体之前,尹志尧博士曾在英特尔、泛林、应用材料等企业均工作过,积累了大量的经验、技术和人脉。
按照媒体的说法,尹志尧个人在半导体行业拥有86项美国专利和200多项各国专利,被誉为“硅谷最有成就的华人之一”。
后来他看到中国半导体技术相对落后,于是在2004年的时候,他带着钱,带着一批精英人才回国(据称第一批是15个),创办了中微,誓要打破国外的垄断。
在2007年的时候,中微研发出了第一代介质刻蚀机,并且全球首次采用可单台独立操作的双反应台,效率甚至比国外同类产品还要高30%。
然后中微不断的努力,中微的刻蚀机技术不断的进步,达到了全球最先进的水平,目前已经被用于某晶圆厂的3nm芯片生产线中。
而近日,中微更是表示,中微在中国电容耦合等离子体(CCP)刻蚀设备市场的市场份额预计将从去年10月的24%增至60%。在电感耦合等离子体(ICP)工具市场,其份额可能会从几乎为零上升到75%。
合计来看,中微今年在国内的刻蚀市场份额,可能提升至60%,而之前占据主导地位的美国泛林半导体、应用材料等,全部被中微打的节节败退了。
接下来,希望其它国产半导体设备,特别是光刻机,也能够像中微的刻蚀机一样,达到全球先进水平,实现5nm、3nm,那么中国芯片产业,就再也不怕美国卡脖子了。
原文标题 : 国产刻蚀机大进步:达到3nm,拿下国内60%份额,逼退美企
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