美国封锁失败，努力6年后，国产光刻机从90nm，跨进65nm
众所周知，全球前道光刻机（非后道光刻机）的主要玩家就4家，分别是荷兰的ASML，日本的尼康、佳能，中国的上海微电子。
但如果从市场份额来看，ASML占了85%以上的份额，然后尼康、佳能又占了15%左右，上海微电子的份额几乎为零。
这是为什么呢？看上面这个图，大家就清楚了，因为ASML垄断了EUV光刻机，全球只有它一家能够生产，在浸润式DUV领域，也垄断了95%左右，另外5%是尼康的。
而上海微电子、佳能只能生产低端光刻机，比如上海微电子，之前的光刻机分辨率一直在90nm，也就是SSA600这一个型号，因为美国一直对光刻机的一些关键技术/元件进行封锁，不想让中国光刻机有突破。
从上海微电子的官网，大家可以看到这台光刻机介绍：“可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求”
但是近日，在工业和信息化部发布的资料中，大家发现我们有了新的光刻机，一共是两台，一台是氟化氪光刻机，使用248nm波长的照明光源，分辨率小于等于110nm，这一台就不说了，连DUV都不是，因为DUV要使用193nm波长的。
另外一台是氟化氩光刻机，照明波长193nm，分辨率小于等于65nm，套刻小于等于8nm。
这台光刻机，明显就比上海微电子之前公布的那台SSA600要先进了，毕竟那台的分辨率是90nm，这台标明了是65nm了。
而SSA600是2018年3月份推出的，到如今已经过去了6年多的左右，这也意味着，经过了6年的努力，我们终于实现了从90nm到65nn的跨进。
当然，也有人对套刻精度小于等于8nm有误解，觉得这或许可以代表制造8nm芯片。
事实上，套刻精度是用于多重曝光的，因为芯片电路图越来越复杂，如果光刻机分辨率不够时，就会将一个图拆分成N个图，分N次来光刻。
每一次之间的误差值，就是套刻精度，套刻精度代表的是多重曝光的能力，套刻精度越小，就能更多次的曝光，一旦套刻精度大，那么就无法多重曝光，因为误差大了，芯片就废了。
按照对ASML光刻机的对标，ASML在在2013年时发布的浸没式光刻机，例如NXT:1950，它的套刻精度是5.5纳米，多重曝光后能生产28nm芯片。
而这台氟化氩光刻机，明显还不是浸润式，只是一台干式光刻机，也就是ArF光刻机，这种光刻机理论上的极限就是65nm，所以搞定28nm都是有点悬的，更别说8nm了。
当然，即便如此，它也是一个巨大的进步，毕竟我们也算是突破了美国的封锁，从90nm跨进了65nm，也是前进了一代，只要我们不断的前进，总有一天，会研发出浸润式光刻机，甚至EUV光刻机来的。
原文标题 : 美国封锁失败，努力6年后，国产光刻机从90nm，跨进65nm
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