侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

intel掀开台积电的老底?台积电3nm芯片,等同英特尔7nm

目前全球最先进的芯片技术,是台积电的3nm,三星的3nm。至于其它晶圆厂,都没有这技术。

当然,关于它究竟是真3nm,还是假3nm,外界一直有各种猜测和怀疑,但真理掌握在台积电手中,他说3nm,就是3nm,你参奈何?

所以intel后来都没办法,将自己的工艺全部改名,改成什么intel7、intel4、intel3等等,来对应台积电有7nm、4nm、3nm工艺。

图片

但其实啊,这些工艺还真不是什么7nm、4nm、3nm。

严格来讲,intel的intel4、intel3实际上是intel的7nm工艺,只不过intel认为它可以对标台积电的3nm,所以改成一样而已。

而近日,intel公布的intel3工艺相关参数指标,发现它确实是和台积电的N3是一致的,但虽然它叫intel3,实际上是7nm工艺。

图片

首先啊,与intel4相比,intel3提升了18%性能的同时提升了14%的逻辑晶体管密度。相对应之下,台积电N3对比N4,可是只提升了15%左右的性能。

其次,在金属间距方面,台积电的N3对应的是45nm,而intel的intel3,对应的是42nm。

接着我们来看一个很重要的参数,那就是晶体管密度,如下图所示,intel4是123.4MTr/MM2,也就是1.234亿个每平方毫米。

而台积电的3nm是1.24亿个每平方毫米,intel4和台积电的N3差不多,而intel3则更强一点,晶体管数量更多。

图片

由此可见,intel的intel3工艺,其实就是台积电的N3工艺,英特尔之前是将它叫做7nm的,后来看到台积电、三星们喜欢将数字改的越小越好,所以intel也打加入了这个命名大法中,改成了intel3,说是3nm。

由此可见,什么intel20应对台积电2nm,以及intel14对应台积电的1.4nm等,都不是真正的XX纳米,只是这么叫而已。

图片

事实上,我们要知道一个事实,那就从14nm之后,所谓的XX纳米基本上都不是真的XX纳米了,而是一种营销上的说法。

以前intel还想实事求是,是多少就是多少,搞的工艺一直落后于台积电、三星,intel一直在14nm、10nm上打磨,搞出了14nm、14nm+、14nm++、14nm+++……

要是按照之前的搞法,估计intel进入不了5nm,会一直是7nm、7nm+、7nm++、7nm+++、7nm++++……

图片

只不过后来intel开窍了,既然友商们通过改名大法,让业界觉得对方技术最先进,那么自己为何不仿效呢,改个名而已嘛,于是intel不再死守本份,也就有了一系列什么intel7、intel4、intel3、intel20A等等命名了。

这不,英特尔说自己今年就会推出intel20A,也就是2nm,要领先台积电、三星,看来intel终于学到了提升工艺的真谛了,那就是改名大法。

       原文标题 : intel掀开台积电的老底?台积电3nm芯片,等同英特尔7nm

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

    电子工程 猎头职位 更多
    扫码关注公众号
    OFweek电子工程网
    获取更多精彩内容
    文章纠错
    x
    *文字标题:
    *纠错内容:
    联系邮箱:
    *验 证 码:

    粤公网安备 44030502002758号