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2012年20大热门技术:3D IC、塑料电子逐个数【图集】

  9. 下一代非易失性存储器

  IBM相变存储芯片的读写速度比闪存快100倍,写入循环寿命也高达1000多万次。

  MRAM、相变存储器和RRAM都具有各自的特性和局限。

  10. 处理器

  微处理器集成电路领域的一大突破。不过,处理器的发展也正面临着危机。从多核到众核的发展,只是简单的增加处理单元是不够的。其发展还包括编程语言和环境,如OpenCL,以及ARM的 “big-little”处理技术的推广。

  现在,英特尔与ARM的低功耗之战已经取代了英特尔与AMD持续了20年之久的性能战。

 

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