台积电工艺路线图：2018年7nm量产/2020年5nm领航
2016-01-19 12:21
来源：
电子工程网
据纯晶圆代工大厂（pure-play foundry）台积电（TSMC）消息，台积电5nm研发已有1年时间，有望在7nm量产的2年后、亦即2020年上半年量产。
台积电共同执行长（co-CEO）刘德音（Mark Liu）在最近的投资者会议中表示，7nm研发一如预期，预计将在2018年上半年量产。他尚未具体说明7nm是否已准备好量产或只是风险生产。
刘德音还表示，公司将采用极紫外（EUV）光刻技术来生产5nm制程芯片。台积电第一季度已开始接受客户10nm晶片设计定案（tape-out），将于今年第四季度进入量产。
台积电共同执行长魏哲家（CC Wei）表示，台积电14/16nm晶圆代工市场占有率将由去年50%提高到今年70%以上。台积电16nm FinFET工艺包括：16FF (16nm FinFET)，16FF+ (16nm FinFET Plus) 和16FFC (16nm FinFET Compact) ，预计将抢占20%以上的晶圆代工芯片营收。今年将再推出低成本的16nm FFC制程争取更多中低阶智慧型手机晶片代工订单，将于2016年上半年量产。
魏哲家还表示：“台积电量产采用InFO（integrated fan-out）晶圆级封装的举措将于2016年第二季度步入正轨。我们不渴盼大量客户采用InFO晶圆级封装，不过我们希望能吸引到高容量客户。”
据说苹果将卷入到采用InFO晶圆级封装技术的首波客户浪潮之中。（文/Silvia译）
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