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电子产品&设备:FLY-30MHZ-50MHZ EMI辐射问题的时域波形理论分析!


因此所以的FLY-开关电源IC内部都会加一个200nS-500nS的前沿消隐时间来防止误触发,就是我们常见的开关电源IC的LEB功能。

在开关MOS关断时,Is电流波形上有个凹陷(如下图3的位置)理论依据是什么?怎么改善?

从上图可以看到;Is 是不等于Id的,Is = Id+Igs(Igs在关断时是负电流,Cgs的放电(关断)电流如下图)。

因此可以看到Id比Is大,是由于IS叠加了一个反向电流,所以出现Is下降拐点。显然要改善这个电流凹陷需要从不同的开关MOS管型号及驱动关断电流来进行对比分析。不同的开关MOS及驱动的关断电阻就会有不同的凹点,这也和EMI的设计有关系!

我们用示波器测试开关MOS管Id的电流波形(如图2处),开关MOS管关断时Id的电流为何会出现负电流?如下图

注意MOS关断时:漏感能量流出给Coss充到高点(FLY漏感的能量不能传递到次级,此时漏感会与开关MOS的结电容形成谐振),即Vds到达反射尖峰的顶点上。到最高点后Lk相位翻转,Coss反向放电,这时电流流出,也就是Id负电流部份的产生(如果在开关MOS的DS间我们有并联的C4时:优化EMI-此Id的负电流会增大)。此负电流会增加开关MOS的发热!因此在电源和EMI的优化和可靠性的设计上,我们要达到一个平衡点!任何的设计要从实际的需求出发;阿杜老师的理论是:产品可靠性第一位!再来最佳成本优化EMI的设计!!

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