中国刚突破128层QLC闪存 三星将首发160层闪存
上周中国的长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术,QLC类型容量做到了1.33Tb容量,创造了三个世界第一。国产闪存突飞猛进,三星等公司也没闲着,三星正在开发160堆栈的3D闪存。
对3D闪存来说,堆栈层数越多,容量就越大,存储密度就越高,这是3D闪存的核心竞争力,2020年全球将大规模量产100+层的3D闪存。
不过每家的技术方案不同,东芝、西数的BiCS 5代3D闪存是112层的,美光、SK海力士有128层的,Intel的是144层,而且是浮栅极技术的,三星去年推出的第六代V-NAND闪存做到了136层,今年也是量产的主力。
在136层之后,三星目前正在研发160层及以上的3D闪存,将成为第七代V-NAND闪存的基础。
目前160层+的3D闪存还没有详细的技术信息,韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺,从现在的单堆栈(single-stack)升级到双堆栈(double-stack),以便制造更高层数的3D闪存。
考虑到三星在NAND闪存行业占据了超过1/3的份额,实力是最强的,不出意外160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发,继续保持闪存技术上的优势,拉开与对手的差距。
对了,单从层数上来说,三星的160层+还不是最高的,SK Hynix去年宣布正在研发176层堆栈的4D闪存,不过他们家的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同,不能单看层数高低。
作者:宪瑞
图片新闻
最新活动更多
-
直播回顾进入直播>> 智能医疗设备测试的挑战
-
4月26日立即报名 >> 【线上研讨会】TDK模块化电容器、电能质量解决方案
-
4月30日免费下载 >> SPM31智能功率模块助力降低供暖和制冷能耗,打造可持续未来!
-
4月30日限时免费下载>> 高动态范围(eHDR)成像设计指南
-
5月10日立即下载>> 【是德科技】精选《汽车 SerDes 发射机测试》白皮书
-
5月22日立即报名>>> OFweek 2024新周期显示技术趋势研讨会
发表评论
请输入评论内容...
请输入评论/评论长度6~500个字
暂无评论
暂无评论