追赶台积电?三星也确认了在美设芯片厂
据韩国媒体《Infostock Daily》11月18日引述消息人士报道,三星电子已决定在美国建立完全采用EUV(极紫外光)生产设备的LSI(Large-scale integrated circuit,大规模集成电路)工厂。
同一天,美国亚利桑那州凤凰城的市议会,以9:0投票结果一致同意批准了与台积电达成投资协议。
晶圆代工业界前两大厂商前后脚确认、推进在美国设厂事宜,还真是值得关注。
据《Infostock Daily》消息,三星拟投资100亿美元,在美国德克萨斯州奥斯汀市建立一座12吋晶圆新厂——这是三星在美国的第二座生产基地,产能为70K。台湾联合新闻网文章引述业界解读称,三星在美国将扩大7nm以下,甚至更先进的3nm先进制程工艺的布局,意在紧追台积电在美国投资脚步。
韩媒称,三星这座预计全部采用EUV生产设备的新厂,将是三星在韩国以外第一个使用EUV生产的厂区。这样做的目的也是加快拉近与台积电差距。这座工厂启用后将生产非存储芯片,以及系统整合芯片(system LSI)。不过,韩国媒体的报道未提及三星将在奥斯汀设立的这座新工厂是否已经通过美国政府的审查或已进入最终阶段。
根据三星官方信息,今年5月,三星在韩国平泽启动建设5nm的EUV工厂,而华城厂区则已量产5nm。在韩国本土,三星共计有六大生产基地,在美国,此前仅有在德州设有12吋厂生产65nm乃至14nm制程工艺的产品。
类比台积电,三星也有可能可以获利美国政府的产业补助。不过业界推测,三星要在美国设立的新厂如果确实要争取美国补助,那么时间上可能不会很快,预料仍要一段时间,最快明年才会有新进展。
台积电方面,依据凤凰城与台积电的协议,这个计划中共计120亿美元的投资项目,凤凰城将为其提供基础设施方面2.05亿美元的市政建设资金。其中,包括6,100万美元用于铺设3英里的道路建设,3,700万美元用于水力建设,以及1.07亿美元用于废水处理设施。(详见OFweek昨日文章《台积电美国设厂最新进展:落地凤凰城,美方先补贴2.05亿美元》)
11月20日,台积电还公布了最新消息,其在美国的两家子公司取得了加州圣何塞当地1,423坪不动产使用权,将持续扩大在美国市场的布局。
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