三星继续紧咬台积电，德州泰勒厂制程提升至2纳米

2024-06-19 17:22

（本篇文篇章共725字，阅读时间约1分钟）

韩国媒体Etnews报道称，三星电子正考虑将其美国德州泰勒市晶圆代工厂的芯片制程，从原计划的4纳米改为2纳米，以在竞争激烈的半导体市场中与台积电和英特尔抗衡。消息人士透露，三星有望在第三季度做出最终决定。

三星德州泰勒厂自2021年投资以来，2022年开始兴建，计划于2024年底分阶段运营。根据三星DS部门前负责人李凤炫（Lee Bong-hyun）之前的说法，到2024年底，该工厂将开始出货4纳米产品。然而，面对市场需求的变化和竞争对手的步伐，三星决定重新评估其制程策略。

目前，英特尔计划在亚利桑那州和俄亥俄州的工厂量产Intel 20A和18A制程芯片。与此同时，台积电正在美国建设三座晶圆厂，计划在2025年上半年投产4纳米制程，2028年投产2纳米和3纳米制程，2030年投产2纳米以下制程。相比之下，三星的进度略显落后。

为了应对这种情况，三星希望通过提升德州泰勒厂的制程技术，增强其在美国市场的竞争力。据悉，4纳米芯片需求趋缓也是促使三星考虑这一调整的原因之一。

三星在今年4月的第一季度业绩发布会上表示，将根据客户订单分阶段启动德州泰勒厂的运营，预计在2026年实现首次量产。泰勒厂的建设使三星有望获得美国政府64亿美元的补助，预计到2030年总投资将超过400亿美元。

三星希望通过提升制程技术，吸引更多高端客户，包括位于美国的英伟达（Nvidia）、超微（AMD）和高通（Qualcomm）等大型芯片需求方。这一举措有望显著提升三星在高端芯片市场的竞争力。

虽然三星的这一战略调整能否如愿提升市场占有率还有待观察，但这一举措无疑表明了三星在半导体领域持续创新和积极竞争的决心。德州泰勒厂的制程提升将为三星在未来的技术发展和市场扩展中提供坚实的基础。

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原文标题 : 三星继续紧咬台积电，德州泰勒厂制程提升至2纳米

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