前言：

市场占有率排名第三的美光6月时就宣布量产第四代10纳米级（1a）制程DRAM，并供货AMD和Acer，是世界第一家量产第四代10纳米级制程DRAM的公司。

作者 ｜ 方文

图片来源 ｜  网 络

SK海力士量产第4代DRAM

据韩国中央日报日语版 7月13日报道，SK海力士开始利用EUV光刻机生产第4代DRAM。

继内存排名第三的镁光之后，SK－海力士成了第二家量产第4代DRAM的厂家。

LPDDR4 （Low Power Double Data Rate 4）是专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。

此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。

预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。

SK海力士通过此次量产确保了EUV工艺技术的稳定性，并表示未来的1a纳米级 DRAM都将采用EUV工艺进行生产。

相较前一代1z纳米级工艺的同样规格产品，1a纳米级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25％。

此次新产品稳定支持 LPDDR4 移动端DRAM规格的最高速度（4266Mbps），并相较前一代产品其功耗也降低了约20％。

在本次LPDDR4产品之后，SK海力士还计划从明年初开始将1a纳米级工艺导入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

10纳米级DRAM是今年1月，由镁光首次出货的，这给市场带来了不小的震动。不过，镁光将使用现有的氟化氩工艺而不是EUV来生产该产品。

新产品的速率将稳定在4266 Mbps，是标准LPDDR4移动端DRAM规范中最快的传输速率，同时功耗将降低20％，SK海力士将从明年初开始将1a nm级工艺技术应用于旗下的DDR5产品。

这次比较特别的是，SK海力士通过部分采用了EUV技术，完成了对其稳定性的验证，首次使用EUV光刻设备进行量产。

此次量产的1a纳米级DRAM在生产效率和成本竞争力层面都有改善，从而可以期待更高的盈利。

通过将EUV技术全面导入量产程序，SK海力士有望进一步巩固引领尖端技术的高新企业地位。

利用EUV光刻技术生产芯片将被扩大

如今半导体产业对于芯片制作精密度的要求越来越高，半导体技术继续向超微级发展，但却卡在18nm－15nm区间无法突破。

因此，越来越多的半导体公司开始尝试使用EUV光刻机进行半导体制作，以求实现技术突破。

EUV光刻机技术是指在极紫外光下，通过反射投影光学系统，将反射掩模上的图形投影成像在硅片表面的光刻胶上。

与先前的1znm节点相比，1anm技术将在相同尺寸的晶圆芯片上增加25％的芯片数量，稳定运行速率达到4266Mbps，是目前标准LPDDR4移动DRAM中运行速度最快的存在；

并且在增加传输速率的同时减少了20％的功耗，这将减少二氧化碳的排放，有利于践行绿色发展观。

随着技术的迁移，越来越多的半导体企业采用EUV光刻设备生产芯片，一家半导体企业在技术上的领先取决于如何充分利EUV光刻设备。

采用EUV技术生产DRAM的好处

多年来，半导体光刻设备取得了许多进步，EUV能够帮助绘制更精细的电路，因此可以让芯片在相同的表面积内存储更多的数据。

采用EUV技术生产DRAM的好处：可以用更小、更精细的形式绘制电路；大幅节省了掩模成本和光刻处理步骤；在相同的表面积中能够存储更多的数据；芯片能耗更令人满意。

同时，使电路更精细意味着更多的逻辑门能够安装在单个芯片中。通过这样的方式，就可以让芯片变得更强大，更节能。

在部署EUV后，芯片的表面积得到了更有效的利用，为此，业内的人争先恐后地为自己的生产线完善这项技术。

三大DRAM大厂开启EUV制程竞赛

当下，韩国企业在存储芯片市场的分量越来越重，这也推动了该国相关产业的发展。

据国际研究机构，2021年1－3月，全球智能手机存储芯片市场规模达到114亿美元（约合人民币738亿元），同比大增21％；

市场调查机构《Strategy Analytics》最新研究报告资料指出，2021年第一季，全球智能手机DRAM市场总销金额售额达114亿美元，较2020年同期增长21％。

DRAM存储器市场的先进工艺集中度极高，当前仅被极少数厂商掌握，而作为DRAM领域内的三大巨头厂商：三星、SK海力士和美光，更是掌握了大部分的先进技术和DRAM市场大半的市场份额。

在未来，三星和美光都将启用EUV光刻设备生产DRAM产品，但美光会更晚一些，按计划要等到2024年。

三星电子在今年1月末发表业绩时明确表示今年内将使用EUV工艺来量产第4代DRAM产品。

面对美光，SK海力士也投资2月落成的M16新芯片厂，预计达8000亿韩元设置生产设备，包括EUV曝光机，年底前达每月量产1．8万片12英寸芯片。

美光也不甘示弱，日前财报会议透露正与ASML展开采购谈判，预计2024年使用EUV曝光设备生产内存。

SK海力士计划在2025年底前花费4．75万亿韩元来确保EUV设备。

结尾

随着生产力和成本竞争力的提高，最新的1anm DRAM不仅有助于确保高利润率，而且还巩固了SK 海力士作为领先技术公司的地位，尽早采用EUV光刻技术进行大规模生产。

部分资料参考：柏柏说科技：《SK海力士计划量产1anmDRAM，国际DRAM竞争加剧，国产DRAM迎来挑战》，十轮网：《追赶美光进度，SK海力士宣布量产第四代10纳米级DRAM》，半导体行业观察：《DRAM，进入EUV时代》

本公众号所刊发稿件及图片来源于网络，仅用于交流使用，如有侵权请联系回复，我们收到信息后会在24小时内处理。