众所周知，当前在晶圆代工上，只有三星能够与TSMC竞争一下了。但事实上，从市场份额来看，两者相差还非常大的，TSMC的份额有55％左右，而三星只有20％左右。

三星唯一拿得出手竞争的，其实是自己掺了点水份的工艺，似乎与TSMC不相上下，同时进入5nm，再进入4nm，再进入3nm，甚至在3nm上，三星还要采用GAAFET技术，比TSMC的FinFET技术更先进。

之前三星已经获得了高通的支持，高通将自己的5nm芯片骁龙888、4nm芯片8Gen1都交给三星代工。

所以三星信心满满，要在3nm时想办法追上并超过TSMC，未来成为晶圆代工的龙头，打败TSMC。

不过4nm工艺开局不利，三星帮高通代的骁龙8Gen1，表现不给力。更重要的是外界传闻三星4nm工艺的良率只有35％左右。

也就是说晶圆制造成芯片，只有三分之一是可用的，另外的三分之二是残次品，导致三星产能低、效率慢，高通都受不了了，要转单TSMC，生产另外一批8Gen1。

而近日，媒体PhoneArena报道，不仅4nm良率低，三星在试产的3nm良率更是低到离谱。

按照PhoneArena的说法，三星代工厂早期的3nm良率一直在10％至20％之间，比4nm那35％的良率糟糕多了。

为何3nm良率这么低，原因是三星在3nm时，采用全环栅极晶体管架构（GAAFET），这是业界首次采用这种技术，三星也是第一次。

相比于之前从14nm工艺就使用的FinFET晶体管，三星也是完全没经验，再加上本来就难度大，所以导致良率低。

三星肯定目前在大力提升良率，要知道10－20％的良率，根本没法批量生产，会导致成本大增，同时产能大降，毕竟10块芯片中，才1－2颗可用，其它的8、9颗都是坏的，你说成本会高到哪里去？只怕生产出来，价格贵到消费者都用不起啊。