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实事求是,目前离14nm芯片自主可控,都可能还要3-5年时间

目前中国大陆芯片工艺最先进的是中芯,早就实现了14nm工艺。

不过大家也都清楚,因为中芯的进步,让美国感到了忌惮,所以将中芯拉入了黑名单,对先进工艺的设备进行了限制,想要锁死我们16/14nm以下先进逻辑制程,一直停留在14nm。

但是,大家要清楚,这个所谓的14nm工艺,其实也是在进口各种设备的情况下实现的,如果采用全国产设备,14nm目前是不可能实现的。

实事求是,目前离14nm芯片自主可控,都可能还要3-5年时间

按照某些专业人士的说法,目前全球没有一个国家,可以实现晶圆厂的全产业链,也没有一家晶圆厂,可以不需要美国的技术。

如果有这么一个国家的晶圆厂,可以实现全产业链,可以不需要美国的技术,那么它一定是中国,但也不是现在,而是将来。

就拿14nm工艺来说,目前我们同样大量依赖从美国进口设备,材料、软件等,离实现自主可控,业内人士预测,至少还需要3-5年时间。

实事求是,目前离14nm芯片自主可控,都可能还要3-5年时间

芯片生产过程中涉及到几十种设备,上百道工序。我们只捡重点的说。从三个环节来说一下,这三个环节分别是单晶硅片制造、前道工序、后道工序。

第一个环节,就是将砂子变成硅晶圆的过程,目前国内能制造300mm的晶圆,可以用于14nm,这里面其实也用到了美国进口设备,但我们先不管,就当可以完全独立自主好了。

实事求是,目前离14nm芯片自主可控,都可能还要3-5年时间

重点是前道工序,这里就是将硅晶圆,变成加工后的裸芯片的过程,这里至少有扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试,这8个重点步骤。

这里的设备就牵涉众多了,最难的是光刻机,国产仅90nm,还有离子注入、测试等环节的设备,国产在28nm,还有徐胶显影机等,还在60nm。

此外,这里还涉及到众多的材料,特气、光掩膜、光刻胶、光刻胶辅助材料、湿化学品、靶材、抛光液等,这里面光刻胶,国产仅能达到45nm,还有一些靶材是空白,需要进口。

实事求是,目前离14nm芯片自主可控,都可能还要3-5年时间

而在后道工序,主要也就是封测,国内有三大厂商,排名全球前10名,分别是江苏长电、天水华天、通富微电,这三大厂商的封测技术达到了4nm,但用到的设备,很多也是进口的。

此外,还有制造芯片用到的EDA软件,控制晶圆厂自动化的软件,大多也是使用美国的,国产在先进工艺上,很多覆盖不到,甚至连全流程都覆盖不到,比如EDA只能覆盖全流程的70%左右,工艺大多在28nm、45nm、60nm这样的环节。

实事求是,目前离14nm芯片自主可控,都可能还要3-5年时间

所以要搞定14nm工艺的全国产,按照业内人士的估计,至少要3-5年,甚至有可能3-5年都不够,还取决于国内厂商们的研发进度。

所以在当前,国内的芯片产业对美国的依赖还相当大,当真正实现了全自主的14nm时,才能稍硬气一点,现在还是低调一点吧,你觉得呢?

       原文标题 : 实事求是,目前离14nm芯片自主可控,都可能还要3-5年时间

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