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中国芯接下来的方向,是实现28nm国产化,不是进入10nm

不得不说,现在中国芯片产业外部的局势是越来越紧张了。

去年10月份,美国对人才、设备、软件、资金等全方面封者,想要锁死我们的DRAM内存在18纳米,锁死NAND闪存在128层,锁死逻辑芯片工艺在14纳米。

然后今年美国又联手了荷兰、日本继续围堵。目前日本也出台政策,把尖端半导体制造设备等23个品类列入出口管理限制对象名单。

如果从工艺来看的话,日本的这些设备,均属于制造电路线宽在10~14纳米以下的尖端产品所需设备。而ASML之前表示,浸润式光刻机,也不能随便卖到中国来了,只有一台可以卖。

很明显,目前国内芯片产业要向往先进工艺进发,确实是比较困难了,从现在的14nm进入10nm,短时间之内,基本很难实现。

所以在这样的情况下,我觉得中国芯接下来的方向,不是先想办法进入10nm,而是先想办法实现28nm工艺的全部国产化。

何谓全部国产化?即生产28nm芯片的设备、材料、技术、软件等,全部国产化,不需要依赖进口。

事实上,目前在28nm这个工艺上,我们都没有实现国产化的,比如光刻机使用的是ASML的,很多控制良率设备使用的是美国、日本厂商的,材料也很多来自日本的。

目前,虽然美国、日本等厂商,并没有对28nm这个工艺进行限制,针对的主要是14nm及以下的工艺,但未来可就难说。

所以我们要做好准备,路一步一步走,先把28nm工艺国产化。而这个目标,目前看起来并不遥远。

如上图所示,在芯片制造的扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试等8个关键环节,国产的设备,大多已经达到了28nm,有少部分甚至达到了5nm、3nm了。

而在材料方面,情况也差不多,很多达到了28nm。如果国产芯片厂商们多支持,估计全套产业链,都可以迅速提升至28nm,甚至更高的水平。

而从2022年数据来看,全球76%左右的芯片(数量占比,不是价值占比),还是采用28nm及以上的工艺制造的。

所以中国芯目前的方向,在我看来肯定不是想方设法进入14nm以下,那也不现实,还是先把28nm全国产化, 再以成熟工艺为基础,慢慢推动整个国产供应链成长,最终突破至14nm,再10nm……这样就不怕被人卡脖子,因为我们那时候已经没脖子了,脖子和身体一样粗,对方没法卡了。

       原文标题 : 中国芯接下来的方向,是实现28nm国产化,不是进入10nm

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