美国打压中国存储芯片,给韩国厂商,赢得了宝贵的半年时间
昨天,韩国存储芯片大厂SK海力士宣布,其最新的238层堆叠的NAND Flash芯片,开始量产了,正在与一家智能手机制造商测试,随后会全面推出市场。
你没有看错,2023年6月份,SK海力士的232层堆叠的NAND闪存芯片,才开始量产。仅仅落后了国产存储芯片厂商长江存储半年时间。
要知道长江存储,于去年就量产了232层NAND闪存,全球第一家量产232层闪存的厂商,同时其232层的存储颗粒,目前在市面上已经大量出货。
目前国内那些价格便宜的PCIe4.0的国产SSD,采用的是就是长江存储232层的NAND芯片,具体的牌子就不要说了,基本上国产的便宜的SSD均是。
按照一般行业规律而言,落后半年多,那么整个市场对落后者是非常不友好的,因为领先半年的对手,已经完成了大量出货,市场占有率已经提升了,落后者已经失去了先机。
毕竟232层的NAND,在单位容量价格上会更便宜,因为层数越多,单位体积下的存储密度会更高,这样成本会低一点。
不过,情况在长江存储、SK海力士这里又不一样了。原因是美国对长江存储进行了打压,虽然长江存储提前半年量产了232层堆叠的NAND闪存,但问题是因为打压,其产能没法升级,因为美国将128层以上NAND闪存生产设备,进行了封禁。
所以本来应该大量出货的232层NAND闪存,长江存储因为产能问题,没法大量出货占领市场,大家可以看到长存原厂的SSD,都不是采用232层堆叠的芯片……
所以可以说长江存储,其实是因为打压失去了这个宝贵的半年的时间窗口期,导致SK海力士虽然晚半年推出,实际影响却不会特别大。
之前很多人表示,长江存储已经能够量产232层NAND闪存,这个打压还有什么意义呢?实际上意义就在这里,让长江存储没法扩产,然后空有技术,也没产能,最终市场就还会是美光、三星、SK海力士等厂商的。
而长江存储靠着128层及以下的闪存颗粒来
这就是美国的目的,就算你突破了,也让你的产能跟不上,最终眼睁睁的看着比你技术落后的厂商还后来居上,占领了市场!
原文标题 : 美国打压中国存储芯片,给韩国厂商,赢得了宝贵的半年时间
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