重大突破，国产芯片公布3纳米关键技术，台积电也未能实现
据媒体报道指，在美国第69届IEEE国际会议上，国产芯片企业发布了一项GAA（环绕栅极）技术，该项技术为3纳米的关键技术，显示出国产芯片并未因为芯片设备的限制而停止研发先进工艺。
GAA技术对于3纳米及以下工艺非常重要，目前仅有三星在3纳米工艺上采用GAA技术，不过也由于三星激进地采用GAA技术，导致它的3纳米工艺良率偏低，有业界人士指出三星的3纳米工艺良率可能低至10%-20%。
台积电则较为保守，它在3纳米工艺上仍然采用FinFET技术，这确保了台积电的3纳米工艺顺利良率，良率则达到55%左右，虽然它的3纳米工艺良率高于三星，但是仍然未达到3纳米工艺的90%良率。
台积电因为在3纳米工艺上未采用GAA技术，导致3纳米性能不佳，生产的A17处理器性能仅提升了10%，还存在功耗过高的问题。这也导致高通和联发科放弃了3纳米工艺，而继续采用4纳米工艺，目前台积电的3纳米工艺仅有苹果一家客户。
业界预期台积电明年应该会引入GAA技术，以进一步提升工艺性能，满足高通、NVIDIA等美国芯片对性能的要求，当然更重要的是提升良率，过低的良率导致目前的3纳米工艺成本偏高，让芯片企业难以承受。
由此可见GAA技术的重要性，中国芯片提前研发，可为未来量产3纳米做准备，毕竟这些技术的难度极大，需要芯片行业耗费很多年时间去探索、改善，进而真正用于芯片制造中。
由于众所周知的原因，中国一直无法获得先进的EUV光刻机，这也导致中国研发7纳米及以下工艺面临着巨大的困难，但是中国一直都没有放弃研发先进工艺的努力。
台积电前副总林本坚被誉为浸润式光刻机之父，他认为中国芯片完全可以利用现有的芯片设备开发出7纳米乃至5纳米工艺，而早前中国一家手机企业发布5G手机，就被认为接近7纳米工艺，凸显出中国利用现有设备发展先进工艺。
如此情况下，中国芯片行业率先研发可用于3纳米的GAA技术并不奇怪，这也说明中国的芯片技术人才确实有天分，毕竟Intel当年发展芯片制造工艺过程中就有华人发挥了重要作用，台积电更是华人在芯片技术方面具有天赋的证明。
中国及早开始为先进工艺储备相关的技术，可以为中国未来量产先进工艺做好充分的准备，毕竟芯片制造是一条很长的产业链，需要各方面的技术和设备都达到某个阶段才能实现量产，在一些可以突破的环节先行推进，实现点突破，直到其他短板跟上，最终实现全面突破。
这样的做法是一种务实的做法，中国高科技的许多行业正是这样点点滴滴的进步，最终实现了重大进步，各个行业的科技人才的努力，为中国高科技的发展做出了贡献。
原文标题 : 重大突破，国产芯片公布3纳米关键技术，台积电也未能实现
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