MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。 M查看详情>RAM主体结构由三层结构的MTJ（magnetic tunnel junction）构成：自由层（free layer），固定层（fixed layer）和氧化层（Tunneling oxide）。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。STT-MTJ利用自由层和固定层磁矩方向来存储信息，平行状态（parallel），电阻为低阻；非平行状态（anti-parallel），电阻为高阻。存储器读取电路是通过加载相同的电压判断输出电流的大小从而判断存储器的信息。
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巨头押注，MRAM开始爆发
存储技术发展更迭50年，逐渐形成了SRAM、DRAM及Flash这三大主要领域。但是随着半导体制造技术持续朝更小的技术节点迈进，传统的DRAM和NAND Flash开始面临越来越严峻的微缩挑战；再加上由于这些存储技术与逻辑计算单元之间发展速度的失配，严重制约了计算性能和能效的进一步提升
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三星布局下一代存储：MRAM
前言：随着AI和5G时代的到来，新世代存储器的需求日益凸显，其中包括自驾车、精准医疗诊断、卫星影像辨识等领域。MRAM作为一种采用精致磁性材料的存储器技术，能满足这些领域对更快、更稳定、低功耗的需求。
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未来的变迁：PCM和MRAM将在独立存储器中处于领先
前言:实现硬件方面的复兴,才能充分挖掘人工智能时代的潜力。在性能、功耗和密度(面积/成本)方面得到显著改善的新兴存储可以满足边缘计算、近边缘和云计算的需求。作者 | 方文预计在接下来的十年中,两种新兴的非易失性存储器类型(PCM和MRAM)将在独立存储器中处于领先地位
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【ISSCC 2020】台积电STT-MRAM技术细节
在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT－MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。
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新型内存技术MRAM、ReRAM和PCRAM做好了量产准备
这些新型器件一直受到行业的广泛关注，但是直到最近，其商业实现还寥寥无几。现在，得益于更先进的制造系统的不断发展，这种雷声大雨点小的局面马上就要改变了。
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