TI高级副总裁Steve Anderson:"我们将敲开高电流功率 MOSFET 领域的大门."
2010-06-29 10:56
来源：
OFweek电子工程网
• 增强型封装技术可将封装顶部热阻从10 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，从而将该封装所能承受的功耗提升 80%；
• 高效的双面散热技术可将允许通过 FET 的电流提高 50%，设计人员无需增加终端设备尺寸，即可高度灵活地使用需要更高电流驱动的处理器；
• 业界标准 5 毫米 x 6 毫米 SON 封装可简化设计、降低成本，与使用两个标准5x6封装相比，可节省 30mm2的空间。
通过封装比较凸显顶端散热能力
NexFET技术–与生俱来的低门极充电电荷
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