MOSFET
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每一个H桥的功率输出模块由N型功率MOSFET组成的电机驱动芯片
工采网代理的电机驱动芯片 - SS8812T为打印机和其它电机一体化应用提供一种双通道集成电机驱动方案。SS8812T有两路H桥驱动，每个H桥可提供较大输出电流1.6A (在24V和Ta=25°C适当散热条件下)，可驱动两个刷式直流电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管或者其它感性负载
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IGBT/MOSFET-栅极驱动光电耦合器ICPL-343
现代电力电子系统中，栅极驱动光电耦合器扮演着至关重要的角色；其先进的技术能够有效隔离控制信号和功率信号，提升系统的稳定性和安全性，同时提高系统的效率和性能。其中，由工采网代理的ICPL-343是一款出
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小型封装内置第4代SiC MOSFET，实现业界超高功率密度，助力xEV逆变器实现小型化！
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1
ROHM 2024-06-12 -
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率
中国上海，2024年2月22日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系
东芝 2024-02-22 -
IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA_(T)-R3G系列
一、产品介绍 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大
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Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET
非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用中国北京，2023年10月17日讯 – Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互
Littelfuse 2023-10-17 -
N-沟道功率MOSFET-MPF12N65
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管；它由金属、氧化物和半导体材料构成；分为N沟道型（NMOS）和P沟道型（PMOS）两种类型；具有低功耗、高速度、小型化、可靠性优点。 工作原理是通过控制栅极
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采用TO263－7封装的新一代1200 V CoolSiC 沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
【2023 年 7 月 3 日，德国慕尼黑讯】英飞凌推出采用TO263－7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化
英飞凌 2023-08-01 -
ROHM推出全新Power Stage IC：可替代Si MOSFET，器件体积减少99％
近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在此背景下，全球知名
ROHM 2023-07-26 -
安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构
作者：安森美产品推广工程师Vladimir Halaj自电动汽车 （EV） 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量
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Nexperia扩充NextPower 80／100 V MOSFET产品组合的封装系列
现可提供具备高效开关和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封装奈梅亨，2023年6月21日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布扩充NextPower 80／100 V MOSFET产品组合的封装系列
Nexperia 2023-06-21 -
Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为
无需人工计算，参数可随用户输入动态响应奈梅亨，2023年5月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套使用的新一代交互式数据手册，大幅提升了对半导体工程师的设计支持标准
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用于IGBT和MOSFET栅极驱动光耦合器MPH343
由工采网代理的MPH343是一款输出电流为4.0A的智能栅极驱动光耦；非常适合驱动功率IGBT和MOSFET用于电机控制逆变器应用和电源系统中的逆变器；内置过流保护和软关断功能，适用于工业逆变器和光伏功率调节系统
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Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET（ASFET），管脚尺寸缩小60％
RDS（on）额外降低40％，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用奈梅亨，2023年3月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用
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英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25－150V OptiMOS 源极底置功率MOSFET
【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX ／ OTCQX代码：IFNNY）推
英飞凌 2023-02-01 -
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3．75kVrms2023 年 1 月 30日，中国北京讯 － 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC
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Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET （ASFET），SOA性能翻倍
全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS（on）和SOA奈梅亨，2022年11月18日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件
Nexperia 2022-11-18 -
应用在电源MOSFET驱动器中的光耦
MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC／DC 转换器和高达100V的电源电压来驱动两个N沟道MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容MOSFET中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置
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Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET
DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空间受限的应用中节省电力并简化散热管理奈梅亨，2022年7月27日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和P
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Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET
DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603
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栅极驱动器以及SiC MOSFET栅极驱动
碳化硅（SiC）MOSFET的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。虽然它们的表现比传统的硅（Si）MOSFET和IGBT更为出色，但驱动方式却不尽相同，必须要在设计过程中进行缜密的思考。
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Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
在LFPAK封装中采用新型SOA(安全工作区)Trench技术,可提供出色的瞬态线性模式性能,为设计人员带来体积更小、更可靠的选择。奈梅亨,2022年5月12日:基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
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安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
新器件缩小封装尺寸60%,增强性能并减少损耗2022年5月11日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless (TOLL) 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 2022-05-11 -
东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率
中国上海,2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源
东芝 2022-04-02 -
东芝推出新款MOSFET栅极驱动IC，助力缩小设备尺寸
—TCK42xG系列支持外部N沟道MOSFET的背对背连接—中国上海，2022年2月9日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出其面向20V电源线路的新款“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动IC中的首款产品－－－“TCK421G”
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派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线
自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。但目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，据Yole数据，Cree，英飞凌，罗姆，意法半导体占据了90％的市场份额
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适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET （ASFET）将SOA增加了166％，并将PCB占用空间减小80％
（企业供图）新推出的80 V和100 V器件最大限度降低额定值，并改善均流，从而提供最佳性能、高可靠性并降低系统成本奈梅亨，2021年8月4日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新款
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Nexperia位于曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品为行业领先的Qrr品质因数80 V／100 V MOSFET
新生产线提高了产能，力求满足及时供应奈梅亨，2021年6月24日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET
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Nexperia新型40 V低RDS（on） MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度
领先的SOA和雪崩特性提高了耐用性和可靠性奈梅亨，2021年5月27日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0．55 m? RDS（on） 40 V功率MOSFET，该器件采用高可
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国内首家打通碳化硅全产业链，三安集成完成MOSFET量产平台打造
中国化合物半导体全产业链制造平台——三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开
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晶圆产能吃紧，MOSFET厂商发布涨价通知
近期,关于晶圆代工产能紧张的消息绵绵不断。受疫情影响,不少品牌的新产品都延期至下半年发布。由于客户订单堆积,使得8寸晶圆代工产能瞬间不足,晶圆代工交期也不断拉长到3个月甚至半年以上。而LCD驱动IC和MOSFET芯片等一些毛利率较低的芯片
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闻泰融资58亿！引进安世先进封测技术和高功率MOSFET产线
4月26日晚间，闻泰科技发布发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金报告书（草案）公告。
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模拟电路设计系列讲座十七：MOSFET 初步介绍
对于同一系列的MOSFET（使用了相同的开发技术），Rdson＊Qg或者Rdson＊Qgd是相同或者近似的。也就是说，对于同一系列的MOSFET而言，如果选择了更小的Rdson，也就意味着相应的Qg和Qgd要比较大。
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Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器
2019年2月26日， 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations今日推出SIC1182K SCALE－iDriver。
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Littelfuse完成对碳化硅二极管和MOSFET开发商Monolith的收购
位于美国伊利诺伊州芝加哥市的Littelfuse公司已完成对美国德克萨斯州Round Rock的初创公司Monolith Semiconductor Inc的收购，该公司主要是对碳化硅（SiC）功率器件技术进行开发研究。
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MOSFET寄生电容对LLC串联谐振电路ZVS的影响
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。
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