侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块开始量产

  OFweek电子工程讯:日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开始SiC-MOS模块(额定1200V/180A)的量产。

  该模块内置的功率半导体元件全部由SiC-MOSFET构成,尚属业界首次。额定电流提高到180A,应用范围更广,非常有助于各种设备的低功耗化、小型化。

  另外,生产基地在罗姆总部工厂(日本京都),已经开始销售样品,预计12月份开始量产并出货。

  罗姆于2012年3月世界首家实现内置的功率半导体元件全部由碳化硅构成的"全SiC"功率模块(额定1200V/100A)的量产。该产品在工业设备等中的应用与研究不断取得进展;而另一方面,在保持小型模块尺寸的同时希望支持更大电流的需求高涨,此类产品的开发备受市场期待。

无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块开始量产

  通常,为了实现大电流化,一般采用增加MOSFET使用数量等方法来实现,但这需要整流元件即二极管配套使用,因此长期以来很难保持小型尺寸。

  此次,罗姆采用消除了体二极管通电劣化问题的第2代SiC-MOSFET,成功开发出无需整流元件-二极管的SiC功率模块(SiC-MOS模块),使SiC-MOSFET的搭载面积増加,在保持小型模块尺寸的同时实现了大电流化。

1  2  3  下一页>  
声明: 本网站所刊载信息,不代表OFweek观点。刊用本站稿件,务经书面授权。未经授权禁止转载、摘编、复制、翻译及建立镜像,违者将依法追究法律责任。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号