无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块开始量产

2012-12-25 15:54

　　内置的SiC-MOSFET通过改善晶体缺陷相关工艺和元件构造，成功地攻克了包括体二极管在内的可靠性方面的各种课题。

　　由此，与逆变器中使用的一般Si-IGBT相比，损耗降低50％以上，在实现更低损耗的同时，还实现了50kHz以上的更高频率，有利于外围元件的小型化。

　　＜特点＞

　　1） MOS单体即可保持开关特性不变。无尾电流，开关损耗更低

　　即使去掉SBD亦可实现与以往产品同等的开关特性。由于不会产生Si-IGBT中常见的尾电流，损耗可降低50％以上，有助于设备更加节能。另外，达到了Si-IGBT无法达到的50kHz以上的开关频率，因此，还可实现外围设备的小型化、轻量化。

　　2）可逆向导通，实现高效同步整流电路

　　一般Si-IGBT元件无法逆向导通，而SiC-MOSFET可通过体二极管实现常时逆向导通。另外，通过输入栅极信号，还可实现MOSFET的逆向导通，与二极管相比，可实现更低电阻。通过这些逆向导通特性，与二极管整流方式相比，可在1000V以上的范围采用高效同步整流方式的技术。

　　3）成功解决体二极管的通电劣化，通电时间达1000小时以上且无特性劣化

　　罗姆究明了体二极管通电的缺陷扩大机理，通过工艺、元件结构成功控制了产生劣化的因素。一般产品通电时间超过20小时导通电阻就会大幅增加，但本产品通电时间达1000小时以上导通电阻也不会增大。

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