而内存方面依旧为双通道的LPDDR4，值得一提的是Exynos 8890首次集成了基带，下行支持Cat 12，理论速度达到600Mbps，而上行也支持到Cat 13，理论速度达到150Mbps。是三星自主处理器的又一里程碑。

　　结果来自Geekbench数据库与GFXbench（全为Offscreen）数据库。

　　由于搭载Exynos 8890的机型还没开卖，所以仅能通过理论跑分成绩来说明其性能表现。单从数据上看来，Exynos 8890的单核性能已经比高通上代旗舰骁龙810以及三星上代旗舰Exynos 7420强不少，Exynos 8890的单核性能基本上是骁龙810、Exynos 7420的两倍，而GPU方面，Exynos 8890同样领先于另外两者，无论CPU性能还是GPU性能都有较大幅度的提升。

　　而随着Exynos 8890的机型逐渐出货，其驱动以及软件/游戏的优化也会陆续跟上，相信具体性能会继续往上攀升。

　　14nm LPP工艺的Exynos 8890发热更少

　　可能很多朋友会对这款处理器产生疑问，这么强大的处理器，发热怎么样。鉴于笔者手上也没有搭载这款处理器的相应机型，所以具体发热状况暂且不妄下定论。但Exynos 8890采用14nm FinFET LPP工艺制造，相信发热“理论”上会得到控制，究竟FinFET是什么?它又有什么作用呢?笔者来简单阐述一下。

　　FinFET显微图

　　其实早在10多年前，就有人提出FinFET这个结构，FinFET主要重新设计了晶体管里面的S/D两级以及最为关键的Gate结构（什么是S/D/Gate今天不说，不然文章起码要多2000字），让Gate对通/断的控制力更强，也就是在更先进的制程节点上，减少S/D两级之间的漏电流，而漏电流会直接影响处理器的功耗。而骁龙810的20nm HKMG工艺，就是Gate控制力低下（对于20nm节点），导致漏电问题严重，所以发热以及功耗得不到良好的控制。

　　FinFET工艺示意图

　　而台积电/三星在16nm/14nm节点上都使用了FinFET技术，增强了Gate对S/D的控制力，减少漏电流。此外，随着三星14nm FinFET LPE过渡到LPP工艺的成熟，良品率会逐渐上升，成本慢慢下降，也利于三星在晶圆的制造过程中使用更好的工艺去控制功耗。

　　Exynos 8890的发热情况本站将会进行相应的测试。

　　总结：三星自主处理器的又一里程碑

　　搭载Exynos 8890的Galaxy S7已经发布。另外，在15年12月的骁龙820亚洲首秀上，高通表示已经有超过70款终端采用这颗处理器，相信到现在已经突破了这一数字。

　　三星S7

　　Exynos 8890作为三星首款集成基带模块的处理器，其身上有着相当多创新之处，例如自主设计的Mongoose核心以及自主架构+arm 公版架构的双簇式设计，能很好地兼顾高性能与低功耗。整体来说，Exynos 8890的性能表现在2016年夺下安卓手机平台处理器性能宝座并不是问题。

　　然而，Exynos 8890多核性能秒苹果A9不是问题，而工艺上面也采用比A9 LPE更强的LPP。