2016中国半导体全景观察：生机勃勃又野蛮无序的大冒险时代

2016-11-03 01:07

　　台积电南京总经理罗镇球

　　大陆半导体产业的多样化让台积电都觉得有些不可思议。 “就CPU来说，有做ARM（架构）的、有做MIPS的、有做Power PC的、有做PR RISC的，甚至还有做SPARK CPU的，就我看来中国CPU遍地开花，是全世界最红火的地方。”台积电南京总经理罗镇球告诉与非网记者，为了应对中国客户对处理器的多样性需求，台积电有一组人专门为处理器开发了高性能工艺。

　　工艺路线是另外一个案例，先进工艺在28纳米节点分野以后，业界就一直存在FinFET与FD-SOI的路线之争。由于台积电和英特尔一致选择了FinFET工艺，所以到目前为止FinFET工艺的生态要远好于FD-SOI工艺，但FD-SOI工艺并非毫无机会，若想迎来转机，FD-SOI工艺能否争取到中国设计公司的支持至关重要。

　　作为FD-SOI工艺的坚定支持者，芯原创始人、董事长兼总裁戴伟民认为，FD-SOI工艺的三个特点非常适用于物联网应用。首先是低功耗，物联网多数是游牧式应用，简单非频繁的上下游交互场景并非时刻需要高性能，FD-SOI独有的体偏压（body bias）特性可以在满足峰值性能的基础上最大程度降低功耗；其次FD-SOI工艺更容易集成射频工艺，“FinFET不是不能做，但要花很多力气去做，蛮头疼的”；第三是FD-SOI可集成嵌入式闪存。在戴伟民看来，一方面FD-SOI工艺天生适合物联网应用对芯片的要求，另一方面大陆在晶圆制造方面落后太多，FD-SOI工艺是差异化取胜的途径之一，“我真的看好FD-SOI，这是一个机会。”

　　芯原创始人、董事长兼总裁戴伟民

　　但罗镇球不这么看，他表示FD-SOI工艺只是一个过渡产物。“我们评估过很多次，一看再看，还是觉得我们不会做FD-SOI。这种工艺做不赢我们的FinFET。”罗镇球进一步指出，无论是技术指标还是经济规模，FD-SOI工艺都不占优。“16纳米已经建了三十多万片（每月）的产能，FD-SOI说先建2万片，这样的规模肯定没法和三十几万的去比。一是技术不占优，一是经济规模不够，两条加起来那条路就很难走，而且FD-SOI的成本也不低，SOI硅片就比普通硅片贵很多”

　　联华电子中国销售资深处长林伟圣