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台积电、ARM等联手打造全球首款7nm芯片,2018年下半年出货

导读: 半导体大厂台积电计划联合ARM、Xilinx、Cadence共同打造全球首个基于7nm工艺的芯片,届时他们将采用7nm FinFET工艺,制造一类似CCIX(缓存一致性互联加速器)测试芯片。

届时他们制造一类似CCIX的测试芯片。

最新消息显示,半导体大厂台积电计划联合ARM、Xilinx、Cadence共同打造全球首个基于7nm工艺的芯片,届时他们将采用7nm FinFET工艺,制造一类似CCIX(缓存一致性互联加速器)测试芯片,等到明年第一季度会完成流片,2018年下半年开始出货。

据了解,这种CCIX芯片可以快速在各元件端顺利存取和处理资料,不受限于资料存放的位置以及复杂的程式开发环境。能够实现全程在记忆体内运行的资料库做处理、影像分析、网路处理等应用。

同时,这款测试芯片基于ARM v8.2计算核心,拥有DynamIQ、CMN-600互连总线,可支持异构多核心CPU。

说到7nm工艺,三星也准备在明年正式开始出货7nm LPP,而台积电这次合作推出的基于7nm工艺测试芯片,既是为了让自己和三星竞争不处于下风,也是他们发展的一个重要节点。

7nm工艺可满足从高性能到低功耗的各种应用领域,第一个版本CLN 7FF保证能够把功耗降低60%、核心面积缩小70%。等到2019年的时候,他们则将退出更高级的CLN 7FF+版本,融入EUV极紫外光刻,进一步提升晶体管集成度、能效和良品率。

而测试芯片的推出,对于各方也是利事,可以试验台积电的新工艺,也便于验证多核心ARM CPU和片外FPGA加速器协作的能力。

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