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DRAM涨潮再起 谁才是真正赢家?

8月14日,美光在总部举办活动庆祝新厂建设成功。据悉,这个工厂主要用于美光研发全新内存以及存储技术,美光技术开发执行副总裁ScottDeBoer表示,美光的主要DRAM技术研发中心已经转入其日本广岛的制造工厂,未来将加快3D NAND以及DRAM全新技术的研发。

受惠于DRAM市场的涨潮,美光预计2017年会计年度第四季营收同比增长91%,高达61.38亿美元,且对于2017年底营收的展望远超市场预期,预估为63亿美元左右。美光执行长SanjayMehrotra表示,美光1X纳米DRAM以及64层3D NAND的良率将于今年年底达到稳定阶段,从产业目前情况来看,今年年底前,DRAM以及NAND Flash都将供不应求。

SK海力士强势出击

对于内存与存储器市场,SK海力士则表现的极为“豪气”,直接出资86.1亿美元进行3D NAND Flash以及DRAM扩产,似乎是市场趋势一片大好的原因,SK海力士将两厂扩产竣工的时间直接缩短至明年第四季度。

据了解,此次SK海力士扩产主要用于技术升级,产能至多提升3%-5%,相对于美光来说,这更像是一场新技术研发速度的比赛,毕竟美光刚建设新厂不久,两者建设新厂的目的似乎不谋而合。

在产品研发上,SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片,并于4月再次推出AI、VR以及自动驾驶等显示器专用的超高绘图存储器DRAM–Graphics DDR6。

在NAND Flash 产品方面,美光成功开发出72层堆叠芯片,相比于上一代48层堆叠芯片,其运行速度提升2倍,读写性能提升了20%,生产效能也增长了30%,目前已经开始量产。

总结:

在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的情况下,三星电子、美光科技以及SK海力士等三大巨头并未满足于现状,而是不断研发全新产品。在这场角逐中,或许他们三者都是赢家。

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