内存

中国的内存、闪存芯片几乎100％依赖进口，从16年中到现在存储芯片大涨价使得国内消费者付出了极大的代价，8GB单条内存的价格是之前的三四倍，128／256GB SSD硬盘也翻了一倍多。也因此，内存DRAM芯片颗粒国产化一直牵动着千万国人的心，一方面是希望国产内存内存DRAM芯片颗粒大规模量产能打压一下高昂的内存价格，另一方面则是由于纯粹的爱国精神和民族自豪感。

在紫光赵伟国入主XMC，成立了长江存储之后，国产3D NAND Flash有了前所未有的希望。在2017年底的第四届世界互联网大会赵伟光就表示，在存储领域，紫光已经研发出了32层64G的完全自主知识产权的三维闪存芯片，2018年将实现量产。

长江存储是紫光公司收购武汉新芯科技公司之后成立的存储芯片公司，在武汉开工建设国内最大的存储芯片基地，总投资超过了240亿美元，目前建设的是一期工程，主要针对3D闪存，2017年9月产房提前封顶，进展很顺利。而在产房之外，3D闪存芯片的研发工作也在同步进行中，17年底推出的首个32层3D是国产3D闪存芯片事业中的一个里程碑事件。

如果与三星、东芝今年量产的64层3D闪存相比，国产闪存还存在一定差距，32层堆栈是这些公司去年、前年就量产的了，不过国产存储芯片发展时间太短了，要实现从无到有的突破，过程自然要比三星等公司更艰辛。此外，这次顺利长江存储顺利推出32层堆栈的3D闪存为日后发展奠定了基础，因为他们并不准备量产32层的，而是在明年直接量产64层堆栈的3D闪存，进一步跟国际主流水平接轨。现在成功开发32层3D闪存可为日后积累经验，锻炼队伍。

根据长江存储的规划，他们预计在2018年下半年正式开始3D闪存生产，初期的产能只有5000片晶圆／月，不过一旦解决良率问题，后续就会大规模量产，武汉基地的设计产能最终可以达到30万片晶圆／月，未来足以比肩SK Hynix、东芝这样的公司的产能。

SiC

碳化硅是第三代半导体材料的典型代表，与传统的硅材料相比，热导率提升3倍，饱和电子漂移速度提升两倍，能耗降低20％以上，可以广泛应用于电动汽车、轨道交通、智能电网、通讯雷达和航空航天等重要国民经济和军工领域。很长一段时间，我们国家的碳化硅主要依赖进口。

2018年2月，中国首条6英寸碳化硅生产线在北京亦庄成功通线，这证明我国在半导体材料领域达到了国际先进水平，提升了我国制造业的国际竞争力。同时，该产线的建成是我国首次实现碳化硅全产业链贯通，从产业链源头实现自主可控。

这条生产线由开发区企业北京世纪金光半导体有限公司投资完成，此次成功通线生产，有效提升了我国高端制造业的国际竞争力。

7纳米芯片刻蚀机

现阶段半导体产业能量产的最先进的工艺节点是7nm，台积电全面领先。在7纳米制程设备方面，囊括了5大设备商包括应用材料（Applied Materials）、科林研发（LAM） 、东京威力科创（TEL）、日立先端（Hitach）、中微半导体。中微是唯一打入台积电7纳米制程蚀刻设备的大陆本土设备商。半导体芯片，是信息化时代的基石，也是当今尖端制造的制高点。芯片制造，已经进入10纳米到7纳米器件的量产时代，是中国输不起的领域，也是中国目前正在花大功夫发展的领域。

中微的7纳米芯片刻蚀机是中国自主研发的第一批7纳米芯片刻蚀机，是芯片制造和微观加工最核心最先进的设备之一。它采用的是等离子体刻蚀技术。利用有化学活性的等离子体，在硅片上雕刻出微观电路。

7纳米相当于发丝直径的一万分之一，这是目前人类能够在大生产线上制造出的最小的集成电路布线间距，这已经接近微观加工的极限。在ICP芯片刻蚀中，关键尺寸的大小和芯片温度有着一一对应的关系。如果我们要求刻蚀均匀性达到1纳米，那么整个芯片的温度差异就要控制在2度以内。中微自主研发的温控设计，可以让刻蚀过程的温控精度保持在0．75度以内，优于国际水平。

气体喷淋盘是刻蚀机最重要的核心部件之一，也是7纳米芯片刻蚀机中的一项关键技术点。它的材料选择和设计对于刻蚀机性能指标的影响至关重要。中微和国内厂家合作，研制和优化了一整套采用等离子体增强的物理气象沉积金属陶瓷的方法，这种创新的方法极大地改善了材料的性能，其晶粒更为精细、致密，缺陷几乎为零。相比国外当前采用的喷淋盘，中国的陶瓷镀膜喷淋盘寿命可以延长一倍，造价却不到五分之一。中微自主研发的7纳米芯片刻蚀机让中国芯片制造装备补足短板、站上高端，与世界最先进水平同步。