伴随集成电路的发展，随之而来的是集成电路光刻技术的发展，光刻技术经历了从最初的接触式光掩模技术起步，到今天的世界最先进光刻技术已经跨越到了7nm。弹指间，技术变革的脚步始终不变，集成电路也进入了掩模新时代。

掩模产业发展增速显著

我国集成电路产业发展面临着前所未有的新机遇。一方面，我国逐步成为世界上集成电路最大的消费国，另一方面未来几年国内和国际知名企业纷纷登陆中国建设新的晶圆厂。

以上产业市场的积极变化，对掩模行业的配套发展可以说是重大历史机遇，我们要在清醒认识自我的同时，抓住机遇，群策群力，全方位、大视野、大格局的有效开展项目论证和建设，扩大国际合作的深度与广度，多渠道、全方位开展合作，实现掩模行业飞跃发展。

创新是产业发展的灵魂，是不竭的动力。掩模产业的创新发展应不仅停留在技术、管理上，更应该把制度、体制创新放在突出位置，激发人才的主观创造性，最终打造出企业长期发展的核心竞争力。

技术变革助助推社会进步

光刻分辨率取决于照明系统的部分相干性、掩模图形空间频率和衬比及成象系统的数值孔径等。相移掩模技术的应用有可能用传统的光刻技术和i线光刻机在最佳照明下刻划出尺寸为传统方法之半的图形，而且具有更大的焦深和曝光量范围。相移掩模方法有可能克服线／间隔图形传统光刻方法的局限性。

随着移相掩模技术的发展，涌现出众多的种类， 大体上可分为交替式移相掩膜技术、衰减式移相掩模技术；边缘增强型相移掩模， 包括亚分辨率相移掩模和自对准相移掩模；无铬全透明移相掩模及复合移相方式（ 交替移相＋ 全透明移相＋ 衰减移相＋ 二元铬掩模） 几类，尤其以交替型和全透明移相掩模对分辨率改善最显著， 为实现亚波长光刻创造了有利条件。

全透明移相掩模的特点是利用大于某宽度的透明移相器图形边缘光相位突然发生180度变化， 在移相器边缘两侧衍射场的干涉效应产生一个形如“刀刃”光强分布， 并在移相器所有边界线上形成光强为零的暗区， 具有微细线条一分为二的分裂效果， 使成像分辨率提高近1 倍。

光学曝光技术的潜力， 无论从理论还是实践上看都令人惊叹， 在实用化方面取得最引人注目进展的要数移相掩模技术、光学邻近效应校正技术和离轴照明技术， 尤其浸没透镜曝光技术上的突破和两次曝光技术的应用， 为分辨率增强技术的应用更创造了有利条件。

在后光学光刻的技术中，其最主要且最困难的技术就是掩模制造技术，其中1：1的光刻非常困难，是妨碍技术发展的难题之一。所以说，我们认为掩模开发是对于其应用于工业发展的重要环节，也是决定成败的关键。

掌握核心技术尤为重要

其一，是否掌握了核心技术要看是否从原理上吃透技术。任何技术都有其相应的基础理论支撑，要掌握核心技术，必须深刻理解其技术原理，不但知其然还要知其所以然。

具体体现在，所用技术在产品全寿命周期内的作用机理、效应和范围在制造、测试、试验、运行、维护等所有环节和条件下均具有可预测性。只要满足确定的条件就能完全复现产品相应的行为，不受地域或时间的限制。

所用技术在一个时间、地点可以生产出产品，可以复制到另外一个时间、地点，生产出完全一样的产品。对核心技术掌握的程度还反映在产品的质量上，掌握越到位，产品的成品率越高，质量越有保证。

其二，是否掌握了核心技术还要看是否具备了基于核心技术的创新拓展能力。如果把从0到1看作是初步具备了核心技术，但是还不能认为已经掌握了核心。

其三，对核心技术的运用是否让企业在行业内占据了技术制高点，是否获得了竞争对手在短时间内无法超越的技术优势。这体现了核心技术的关键性、独特性和先进性的特性。

其四，是否已形成完整的技术体系，并实施了有效管理。核心技术不是单个分散的技术，而是一个技术体系（当然，这个技术体系里面不一定全都是创新的技术，大部分还是原有的技术），不仅包括技术原理、方法和流程，还包括产品研发的所有要素，如：人才队伍、工艺设备、基础配套条件等。