FLY高低压输出-待机功耗测试&分析
10.RCD吸收电路设计分析
RCD是比较常用的吸收电路,主要是吸收漏感的能量以限制开关管上的尖峰电压。相信大家都清楚,RCD如果做的太强的话会对效率有很明显的影响,那自然也会影响轻载效率和待机功耗。
如果考虑到待机状态下电源都是工作在极低频率的Burst状态下的话,实际上C的大小对待机功耗的影响比R要大得多,因为每次C都会充满再放光的。这部分能量就像一个假负载挂在那里 一样,后面用测试Data来进行评估!
从这个角度出发有一种做法是把C彻底拿掉,用一个TVS来代替这样就拿掉了这个假负载!
下面我再来对实际的应用产品进行测试数据给出参考Data!!
说明调测待机功耗时=与下列参数有关:系统功率接近75W设计!
A.VCC绕组空载的最低电压,辅助绕组的限流电阻(绕组端)决定IC的空载电压过低IC-HV会启动影响待机功耗,过高负载电阻会消耗功耗,推荐10V-VDD;
B.注意TL431的补偿参数的影响
C.PC817B/A: 考虑光耦的电流传输比问题
D.RCD吸收回路中;电容C=2200PF常用,C略大会增大待机功耗(比如4700PF)
E.MOS管的限流功率电阻:取值要求90VAC输入时 1.3倍的过载保护设计!
最后一项会决定待机的脉冲的间隔时间空载的间隔时间>10mS(基本要求)
注意检查待机功耗时;25KHZ的的脉冲数要小于5根 空载间隔时间>10mS
2根脉冲就将待机调到极限!12V输出带10mA负载间隔时间>5mS(基本要求)
2.实际的数据测试参考(TL431及光耦设计电路标准化)保证可靠性前提!!
A.RCD吸收电路C=2200PF 电阻R=100K/2W
CH1:VDD(IC) CH2:DRV(IC)CH3:CS(IC) 5根脉冲;间隔时间14.58Ms
B.RCD吸收电路C=4700PF 电阻R=100K/2W
CH1:VDD(IC) CH2:DRV(IC)CH3:CS(IC) 5根脉冲;间隔时间14.38Ms
C.RCD吸收电路C=2200PF 电阻R=100K/2W 12V/10mA
CH1:VDD(IC) CH2:DRV(IC)CH3:CS(IC) 5根脉冲;间隔时间5.568Ms
D.RCD吸收电路C=4700PF 电阻R=100K/2W 12V/10mA
CH1:VDD(IC) CH2:DRV(IC)CH3:CS(IC) 5根脉冲;间隔时间5.4720Ms
我通过简单的实战测试提供对FLY-开关电源系统的待机及轻载时的功耗进行测试,可以快速指导优化无负载及极轻负载的功耗分析思路!如果你想追求极限可以通过理论加实践试试吧!!
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