据市调机构DRAMeXchange公布的调查报告指，今年以来DRAM内存价格大幅下跌，其估算一季度的跌幅从预期的25％扩大至30％，这对于依靠存储芯片取得了全球半导体老大位置的三星来说显然不是好消息，其或因存储芯片价格持续下跌导致位置不保。

存储芯片价格持续上涨助三星取代Intel

自2016年以来，受PC、智能手机等产品对存储芯片需求不断扩大，PC正将机械硬盘转换为速度更快的SSD硬盘、DRAM内存的容量在不断增大，智能手机的闪存和内存容量也在不断扩大，存储芯片价格进入了快速上涨的阶段。

作为全球最大的NAND Flash和DRAM生产商的三星成为最大受益者，其半导体营收快速增长，2017年其半导体业务收入一举超越Intel成为全球最大的半导体企业，夺走了Intel霸占24年的半导体老大位置，2018年保持了这一位置并且领先优势在扩大，据ic insights的估算，2018年三星、Intel的半导体业务收入分别为832．6亿美元、701．5亿美元。

存储芯片价格持续上涨为三星带来了丰厚的利润，2017年三季度受galaxy note7电池事件的影响，三星的利润大跌，但是到了2017年四季度在存储芯片业务的带动下，利润反而同比大涨50％，随后其季度利润持续创下新高，至2018年存储芯片业务成为它最大的利润来源。

不过存储芯片价格存在周期性，在连续上涨之后必然会进入持续下跌的阶段，经营存储芯片业务超过30年的三星当然明白这种周期性，为此它积极在芯片代工市场布局，依靠存储芯片业务带来的丰厚利润，其持续投入巨资研发芯片制造先进工艺，与全球最大的芯片代工厂台积电展开了竞赛，目前双方正在7nm工艺上展开较量，并已在更先进的5nm、3nm工艺上展开布局。

全球芯片代工市场规模在500亿美元左右，台积电占有其中近六成的市场份额，三星期待未来五年能占有该市场四分之一的市场份额，按照芯片代工市场的发展速度，如果三星的目标能达成将能为它带来约150亿美元的的收入，如此可助它保持半导体业务营收的稳定。

存储芯片价格持续下跌或让Intel反超三星

其实存储芯片行业，NAND Flash的下跌早于DRAM，2018年上半年NAND Flash就显示出下跌的势头，2018年全年NAND Flash的价格同比下跌幅度接近50％。

NAND Flash的价格下跌与需求放缓有关，也与技术取得快速的进展扩大了供应量有关。此前的NAND Flash采用的是2D堆叠技术，随着技术的发展各NAND Flash厂商研发出3D堆叠技术，至2018年它们已纷纷投产64层堆叠技术，目前正快速推进96层堆叠技术的投产，在3D堆叠技术推出后，NAND Flash的产能迅速倍增，导致市场从供不应求向供过于求转变，导致了价格的大幅下跌。

DRAM则在技术上未能取得突破，产量的增长主要依靠厂商的投资扩大产能，其供不应求的局面就延续到了去年四季度，但是随着全球经济的放缓，PC、智能手机等产品的销售出现停滞，DRAM逐渐出现供过于求的情况，市调机构DRAMeXchange对DRAM的供需状况更为悲观，因此预计本季度其价格将同比大跌30％。

存储芯片价格下跌对于三星的影响其实在去年四季度的业绩报告中已有所反映，该季度其营收同比下跌10％，营业利润则同比大跌29％，其在公布业绩时候就表示主要是受存储芯片需求下降的影响，如果今年存储芯片价格持续下跌，其营收和业绩必然会受到较大的影响。

2018年三星的半导体业务营收较Intel高18．7％，同年Intel的营收同比增长13％，如果存储芯片价格下跌三星的半导体营收必然也会出现下跌，而Intel由于主要依靠服务器等业务取得营收的增长预计今年将保持增长势头，双方的营收差距很容易因此被抹平，因此柏颖科技认为今年Intel很可能将反超三星重夺全球半导体老大的位置。