海威华芯

成都海威华芯科技有限公司位于天府新区，是国内率先提供六英吋砷化镓集成电路（GaAs MMIC）的纯晶圆代工（Foundry）服务的制造企业，拥有完整的技术团队、先进的GaAs集成电路制造技术和生产设备。

在制程技术发展方面，以多元化及领先为原则，力争为客户提供完整的Foundry服务。在通讯领域，海威华芯科技专注于提供GaAs pHEMT集成电路制程技术。与中国电科29所合资，目前具有GaAs 0．25um PHEMT工艺制程能力。

三安集成

厦门三安集成电路是中国首个涵盖光通讯、微波射频、高功率电力电子等领域的化合物半导体制造平台；具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力；拥有全世界规模最大、制程能力最先进的MOCVD外延生长制造线，是中国第一家具备规模化研发、生产化合物半导体芯片能力的公司。三安集成是目前国内布局最为完善，具有GaAs HBT／pHEMT和 GaNSBD／FET工艺布局，与国内200多家企事业单位进行合作，有10多种芯片通过性能验证。

从封测端来看，华天科技，长电科技主要针对射频PA封测，嘉盛、日月新、通富微电主要针对射频开关封测，目前市场上出货的滤波器厂家都是IDM公司，自己设计，自己生产封测。

国产射频材料研发乘风直上

对于射频技术的发展，新型半导体材料也发挥着关键作用，尤其是GaN射频功率放大器具备高功率、高增益和高效率的特性，更能满足5G基站的需求。从5G的频谱划分来看，主要包含Sub－6G和mmWave（毫米波）两种，中国主推Sub－6G，基站距离是500m－1000m，美国主推mmWave（毫米波），基站距离是300m。目前，射频应用主要采用砷化镓（GaAS）技术和氮化镓（GaN）技术，GaAS支持的带宽频谱范围是900MHz到3GHz，GaN支持的带宽频谱范围是3GHz－6GHz，

在2G／3G／4G通信中，带宽范围是900MHz到3GHz，主要采用GaAS技术；到5G 时代，GaAs PA已经无法满足技术需求，带宽在Sub－6G（3GHz－6GHz）阶段GaAS技术尚可满足需求，当带宽到mmWave （28GHz－52GHz）阶段需要GaN技术才能满足要求。据国家新材料产业发展战略咨询委员会预测，2023年GaN射频器件市场规模将达到13亿美元。5G基础建设大范围铺开后，GaN器件数量将以80％的年均复合增长率增长

在市场需求的推动下，中国的射频厂商在GaAS和GaN技术上取得了突破性进展。在GaAS领域，有三安集成、Vanchip（唯捷创芯）、长电科技；在GaN领域，IDM企业有苏州能讯、英诺赛科，大连芯冠科技、海思等公司，GaN 器件代工企业有海威华芯和三安集成，中电科 13 所、55 所也拥有 GaN 器件制造能力。

总结：国内射频产业链搭建完成，需紧跟大厂步伐

总体来看，国内射频产业链已经搭建完成，从射频芯片设计，到封测、制造三个环节均有公司可以支撑，其中IDM公司、Fabless公司和代工厂齐头并进，并且在新材料的研发上也取得了不错的成绩。

从全球市场来看，Qorvo、skyworks、Broadcom等三大公司仍然会占据主流；从国内市场来看，射频芯片的设计门槛较高，国内射频厂商无论是IDM厂商，还是制造代工厂的制程技术仍属于弱势，所推出产品主要针对中低市场。未来随着技术积累和人力投入加大，国内射频厂商可有机会追赶国际主流射频大厂的步伐。

5G时代的新需求给国内射频产业链带来快速的发展机会，但是也对传输速率、时延、流量密度、移动性等提出更高要求，国内射频厂商要在新产品、新工艺、新材料方面齐下手，紧跟国际大厂前进步伐，才能享受5G带来的高速增长红利。