中芯国际披露第二代14nm：性能提升20％、功耗降低60％

2020-06-08 16:47

2019年，中芯国际量产了国内最先进的14nm工艺制程，并已为华为麒麟710A处理器等进行代工。目前，中芯国际正在回归A股上市，计划募资200亿元，主要就是投入14nm等先进工艺的开发。

6月7日晚间，中芯国际在上交所公布了对第一轮审核问询函的回复，仅用4天，创造了一个新纪录，而在六大类、29个问题中，最引人关注的当属对于新工艺细节的披露。

中芯国际表示，14nm晶圆代工产能正处于初期布局阶段，因此全球份额相对较低，不过第一代14nm FinFET技术已进入量产阶段，而且技术上处于国际领先水平，且具有一定的性价比，目前已同众多客户开展合作，预测产能利用率可以稳定保持在较高水平。

中芯国际透露，利用其先进FinFET技术在晶圆上所制成的芯片，已应用于智能手机领域。虽未进一步明确，但显然指的就是华为麒麟710A。

在下一代技术节点的开发上，全球纯晶圆代工厂仅剩台积电、中芯国际两家，第二代FinFET技术目前已进入客户导入阶段，与第一代对比有望在性能上提高约20％，功耗降低约60％。

中芯国际表示，14nm及以下先进工艺主要应用于5G 、人工智能、智能驾驶、高速运算等新兴领域，未来发展前景广阔，而随着相关应用领域持续发展，先进工艺的市场需求将持续上升，市场份额将不断扩大，成为集成电路晶圆代工市场新的增长点。

根据招股书披露，中芯国际本次计划发行不超过16．86亿股新股，预计募资200亿元人民币，计划分别投入中芯南方正在进行的12英寸芯片SN1项目（80亿元）、先进及成熟工艺研发项目储备资金（40亿元）、补充流动资金（80亿元）。

其中，12英寸芯片SN1项目是中国大陆第一条14nm及以下先进工艺生产线，规划月产能为3．5万片晶圆，目前已建成月产能6000片。

本次问询中，中芯国际又对募集资金投资项目的风险进行了补充披露：12英寸芯片SN1项目的总投资额为90．59亿元美元，其中生产设备购置及安装费达733016万美元。

SN1项目达产后将会贡献额外的先进制程收入，但同时带来较高的折旧成本压力。随着14纳米及下一代制程的产线投产、扩产，公司一定时期内会面临较大的折旧压力，该部分业务毛利率可能会低于公司平均水平，存在经济效益不达预期，甚至产生较大额度亏损的风险。

此外，中芯国际还对研发费用率远高于同行的原因及合理性进行了说明。数据显示，2019年台积电、中芯国际、联华电子、华虹半导体的研发费用分别为211亿元、47亿元、27亿元、4亿元，相应占营收比重分别为9％、22％、8％、7％。

中芯国际表示，为加强在先进制程方面的技术实力，公司不断加大先进制程的研发投入，相继实现了28nm HKC＋工艺、第一代 14nm FinFET工艺的研发和量产，第二代14nm FinFET工艺的研发也在稳健进行中，并不断拓展成熟工艺应用平台，因此公司研发费用率高于可比上市公司。

中芯国际披露第二代14nm：性能提升20％、功耗降低60％

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