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FinFET


  • Nerissa Draeger博士:全包围栅极结构将取代FinFET

    作者:泛林Nerissa Draeger博士FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比,与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道更容易控制

  • 后FinFET时代的技术演进

    FinFET晶体管架构是当今半导体行业的主力军。但是,随着器件的持续微缩,短沟道效应迫使业界引入新的晶体管架构。在本文中,IMEC的3D混合微缩项目总监Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技术节点发展的演进之路。

  • 台积电首次公布3nm工艺详情:FinFET技术 2021年试产

    尽管2020年全球半导体行业会因为疫情导致下滑,但台积电的业绩不降反升,掌握着7nm、5nm先进工艺的他们更受客户青睐。今天的财报会上,台积电也首次正式宣布3nm工艺详情,预定在2022年下半年量产。

  • FinFET凭什么应用于新一代ASIC矿机芯片?

    中本聪打造比特币的时候,设计的是使用电脑(包括家用电脑)来挖矿,主要依靠CPU去计算。但是随着比特币等数字货币的价值越来越高,挖矿成为了一个产业,竞争越来越激烈,挖矿难度也不断提升,于是逐渐转移到硬件比拼上来。

  • 芯片毁于噪声:FinFET使噪声效应叠加

    FinFET技术已经成为工艺尺寸继续减小的主要动力。“在可预见的未来,极低的工作电压与漏电流使得FinFET工艺成为CMOS工艺的标准架构,” ANSYS应用工程高级总监Arvind Shanmugavel说道,“但上述优点是有代价的—电源噪声问题变得突出。

  • 车用SoC如何克服多重图形与FinFET挑战

    在今年度的国际固态电路会议(ISSCC 2016)上,有两款车用系统单芯片(SoC)成为数位处理器议程中最有趣、最大胆创新的芯片技术展示;它们比分别由联发科(MediaTek)与AMD所发表的最新智能型手机与PC处理器内含更多核心、采用更激进的制程技术。

  • FinFET对动态功耗的影响

    在使用功耗方面,控制功率泄漏对于平面器件,特别是在较小的节点来说,已然成为了一项艰巨挑战。通过抬升沟道,包裹沟道四周的栅极,FinFET可以创建一种完全耗尽型沟道,从而克服平面晶体管的漏电流问题。FinFET所具有的更好的沟道控制能力可以用来实现更低的阈值和供电电压。

  • 基于FinFET的SoC系统设计

    几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人,都认为20 nm节点以后,FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言,其未来会怎样呢?

    FinFETSoC 2014-02-25

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