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台积电3nm及4nm制程工艺量产时间同步，坚持FinFET不动摇
在台积电第26届技术研讨会中，台积电证实了5nm和6nm制程工艺已经进入大规模量产阶段。同时，官方也宣布将在明年推出5nm的升级版本。此外，更为先进的3nm和4nm工艺也已经在研发之中。4nm制程是5nm改进后的最终版本，而3nm才是接替5nm工艺的新一代制程。
从技术指标来看，3nm工艺（N3）的风险试生产将于明年进行，大规模量产要等到2022年。与5nm相比，3nm能够在性能提高10％－15％的同时，减少25％－30％的能耗。 4nm（N4）的风险试生产也计划于明年进行，也是从2022年开始量产。对于台积电的5nm客户来说，他们向4nm的过渡将会极其流畅，这也意味着流片成本的大大降低。
当然，台积电并非唯一的3nm制造商，它的老对手三星也正加快研发脚步，希望在明年推出3nm制程。从核心技术来看，三星的3nm制程将会转向栅极全包围（Gate－All－Around），而台积电则会坚持采用FinFET技术。
与此同时，台积电也正在为2nm制程工艺建立新的研发中心，届时将有8000名工程师在此一同攻克2nm工艺。研发中心的具体位置暂时还不得而知，不过2nm晶圆厂的选址已经定为台湾新竹市。
今年，得益于订单的巨大增长，台积电已经投资了数百亿新台币用于购置土地，以扩大工厂产能。对于新制程工艺的研发来说，这些投资也是必要的。目前，不管是对于三星还是台积电，3nm都已经触手可及，最后一步就是要为实现量产建立晶圆厂，而这一步则取决于投资有效性。
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